特許
J-GLOBAL ID：201203000851628747

基板処理装置、基板処理方法、制御プログラムおよび記録媒体

発明者：
上野 正昭

上野 正昭 について

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島田 真一

島田 真一 について

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花島 建夫

花島 建夫 について

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森川 晴夫

森川 晴夫 について

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林田 晃

林田 晃 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-127093
公開番号（公開出願番号）：特開2012-216851
出願日： 2012年06月04日
公開日（公表日）： 2012年11月08日
要約：
【課題】基板に形成する膜の厚さの均一性を制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的としている。【解決手段】基板を処理するアウタチューブと、前記アウタチューブ内に収容された基板を基板の外周側から光加熱する加熱装置と、前記加熱装置が光加熱する基板の外周近傍に流体を流すことにより、基板の外周側を冷却する冷却装置と、前記アウタチューブ内の温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部が検出する温度に基づいて、前記加熱装置により前記基板を光加熱すると共に前記冷却装置により前記基板の外周側を冷却することで前記基板の中心側の温度を所定温度に維持しつつ該基板の中心側と前記基板の外周側とに温度差を設けるように前記加熱装置および前記冷却装置を制御する制御部と、を有する【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板を処理するアウタチューブと、 前記アウタチューブ内に収容された基板を基板の外周側から光加熱する加熱装置と、 前記加熱装置が光加熱する基板の外周近傍に流体を流すことにより、基板の外周側を冷却する冷却装置と、 前記アウタチューブ内の温度を検出する温度検出部と、 前記温度検出部が検出する温度に基づいて、前記加熱装置により前記基板を光加熱すると共に前記冷却装置により前記基板の外周側を冷却することで前記基板の中心側の温度を所定温度に維持しつつ該基板の中心側と前記基板の外周側とに温度差を設けるように前記加熱装置および前記冷却装置を制御する制御部と、 を有する基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/46
FI (3件)：
H01L21/31 B ,  H01L21/205 ,  C23C16/46
Fターム (34件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030KA04 ,  4K030KA23 ,  4K030KA26 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AE01 ,  5F045BB01 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EC02 ,  5F045EE20 ,  5F045EF02 ,  5F045EF20 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ10 ,  5F045EK11 ,  5F045EK22 ,  5F045EK24 ,  5F045GB05 ,  5F045GB15 ,  5F045GB16 ,  5F045GB17
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 薄膜の形成方法およびその装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-107899   出願人：株式会社東芝
  • 基板処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-048507   出願人：株式会社日立国際電気
  • 熱処理炉
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-245647   出願人：セミックスエンジニアリング株式会社, 大同ほくさん株式会社
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審査官引用 (6件)
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