特許
J-GLOBAL ID：200903091820340273

表示装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
宮入 秀和

宮入 秀和 について

, 
根井 孝征

根井 孝征 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-158808
公開番号（公開出願番号）：特開2009-033120
出願日： 2008年06月18日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：
【課題】表示ムラが少ない表示装置を量産性高く作製する方法を提案することを課題とする。【解決手段】ゲート絶縁膜または下地膜として機能する絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜上に非晶質半導体膜を成膜する。次に、エネルギー分布のプロファイルがなだらかなレーザビーム、即ち単位面積当たりのエネルギーが低いレーザビームを非晶質半導体膜に照射して、非晶質半導体膜を微結晶化させて、ゲート絶縁膜または下地膜として機能する絶縁膜上に微結晶半導体膜を形成する。次に、当該微結晶半導体膜をチャネル形成領域用いて薄膜トランジスタを形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下地膜またはゲート絶縁膜として機能する絶縁膜上に第1の微結晶半導体膜を形成し、 前記第1の微結晶半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、 前記非晶質半導体膜にエネルギー分布のプロファイルがなだらかなレーザビームを照射して、第2の微結晶半導体膜を形成し、 前記第2の微結晶半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10
FI (8件)：
H01L29/78 627G ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618E ,  H01L21/20 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10
Fターム (143件)：
2H092GA48 ,  2H092GA50 ,  2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092JA26 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JB57 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB05 ,  2H092KB14 ,  2H092KB15 ,  2H092KB22 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA15 ,  2H092MA20 ,  2H092MA30 ,  2H092PA03 ,  2H092PA04 ,  2H092PA06 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC33 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG14 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP22 ,  5F110PP35 ,  5F110PP36 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ25 ,  5F152AA06 ,  5F152AA08 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD17 ,  5F152CD27 ,  5F152CE05 ,  5F152CE14 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152CE32 ,  5F152CE45 ,  5F152EE01 ,  5F152EE02 ,  5F152FF02 ,  5F152FF03 ,  5F152FF04 ,  5F152FF05 ,  5F152FF06 ,  5F152FF07 ,  5F152FF47 ,  5F152FG04 ,  5F152FG19 ,  5F152FG23 ,  5F152FH02 ,  5F152FH03
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特開平4-242724号公報
  • 液晶表示装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-182073   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
審査官引用 (12件)
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