特許
J-GLOBAL ID:201203005138845780

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-192550
公開番号(公開出願番号):特開2012-049085
出願日: 2010年08月30日
公開日(公表日): 2012年03月08日
要約:
【課題】金属片や異物が電極層上に存在することに起因する有機層に生じる欠陥部の減少を図り、有機EL素子の耐電圧性の向上を図ることにより、短絡の発生が抑制された有機EL素子が得られる有機EL素子の製造方法を提供する。【解決手段】透光性基板1上に設けられる透光性電極層2を含む1対の電極層と、該1対の電極層に挟持され、正孔注入層30、正孔輸送層30e、発光層及び電子輸送層とを有する有機層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、透光性基板上に形成した透光性電極層上に、正孔注入層材料、該正孔注入層材料及び正孔輸送層材料と、該正孔輸送層材料とを順次成膜し、これらの材料の成膜中又は成膜後、これらの材料のガラス転移温度以上の温度に加熱して、正孔注入層と、正孔輸送層と、これらの層間に介在する中間層30dとを形成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
透光性基板上に設けられる透光性電極層を含む1対の電極層と、該1対の電極層に挟持され、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層とを有する有機層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、透光性基板上に形成した透光性電極層上に、正孔注入層材料、該正孔注入層材料及び正孔輸送層材料と、該正孔輸送層材料とを順次成膜し、これらの材料の成膜中又は成膜後、これらの材料のガラス転移温度以上の温度に加熱して、正孔注入層と、正孔輸送層と、これらの層間に介在する中間層とを形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (2件):
H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (4件):
H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 B ,  H05B33/22 D
Fターム (16件):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC04 ,  3K107CC12 ,  3K107CC21 ,  3K107CC29 ,  3K107CC42 ,  3K107CC45 ,  3K107DD02 ,  3K107DD72 ,  3K107DD78 ,  3K107FF05 ,  3K107GG04 ,  3K107GG26 ,  3K107GG28
引用特許:
審査官引用 (10件)
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