特許
J-GLOBAL ID：201203007402958257

半導体装置及びその製造方法

発明者：
池田 典昭

池田 典昭 について


出願人/特許権者：
エルピーダメモリ株式会社

エルピーダメモリ株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-262438
公開番号（公開出願番号）：特開2012-114274
出願日： 2010年11月25日
公開日（公表日）： 2012年06月14日
要約：
【課題】活性領域におけるイオン濃度のばらつきを抑制すること。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板にイオンを注入するための第1開口を有し、第1層ウェルを形成するための第1マスクを半導体基板上に形成する工程と、第1マスクを用いて半導体基板に第1イオンを注入して、第1領域及び第2領域を有する第1層ウェルを形成する工程と、半導体基板にイオンを注入するための第2開口を有し、第2層ウェルを形成するための第2マスクを半導体基板上に形成する工程と、第2マスクを用いて半導体基板に第2イオンを注入して、第1層ウェルより下方に位置する第2層ウェルを形成する工程と、を含む。第1領域を第2領域より第1層ウェルの外縁寄りに形成する。第1イオンを注入する際に、第1マスクの第1内壁面で反射した第1イオンを第1領域に供給する。第2イオンを注入する際に、第2マスクの第2内壁面で反射した第2イオンを第2領域に供給する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体基板にイオンを注入するための第1開口を有し、第1層ウェルを形成するための第1マスクを前記半導体基板上に形成する工程と、 前記第1マスクを用いて前記半導体基板に第1イオンを注入して、第1領域及び第2領域を有する前記第1層ウェルを形成する工程と、 前記半導体基板にイオンを注入するための第2開口を有し、第2層ウェルを形成するための第2マスクを前記半導体基板上に形成する工程と、 前記第2マスクを用いて前記半導体基板に第2イオンを注入して、前記第1層ウェルより下方に位置する前記第2層ウェルを形成する工程と、を含み、 前記第1領域を前記第2領域より前記第1層ウェルの外縁寄りに形成し、 前記第1イオンを注入する際に、前記第1マスクの前記第1開口の第1内壁面で反射した前記第1イオンを前記第1領域に供給し、 前記第2イオンを注入する際に、前記第2マスクの前記第2開口の第2内壁面で反射した前記第2イオンを前記第2領域に供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 27/092 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/824 ,  H01L 21/266
FI (3件)：
H01L27/08 321B ,  H01L27/10 681G ,  H01L21/265 M
Fターム (33件)：
5F048AA00 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA12 ,  5F048BD04 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BE06 ,  5F048BE09 ,  5F048BE10 ,  5F048BF18 ,  5F048BG13 ,  5F083AD00 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083LA02 ,  5F083LA03 ,  5F083LA10 ,  5F083LA13 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA18 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083NA03 ,  5F083PR36 ,  5F083ZA01
引用特許：
審査官引用 (6件)
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