特許
J-GLOBAL ID：201203009324616053
炭化珪素ダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-098412
公開番号（公開出願番号）：特開2012-231019
出願日： 2011年04月26日
公開日（公表日）： 2012年11月22日
要約：
【課題】SiC製のJBSダイオードにおいて、サージ耐量を低下させることなく、通電劣化現象を抑制することのできる技術を提供する。【解決手段】アクティブ領域のn-ドリフト層2内の表面側に、アノード電極4とオーミック接触する複数の第1p領域6と、第1p領域6とは分離され、アノード電極4とショットキー接触する複数の第2領域7とを形成し、アクティブ領域を(11-20)面に射影したときに、複数の第1p領域6を<1-100>方向に正孔の拡散長の2倍よりも広い間隔を置いて配置し、<1-100>方向に配置された第1p領域6と第1p領域6との間に第2p領域7を配置する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1導電型のSiCからなる基板と、
前記基板の表面上に形成され、前記第1導電型で、かつ前記基板よりも不純物濃度の低いSiCからなるドリフト層と、
アクティブ領域の前記ドリフト層内の表面側に形成され、前記第1導電型と異なる第2導電型のSiCからなる複数の第1領域と、
前記アクティブ領域の前記ドリフト層内の表面側に形成され、前記第2導電型のSiCからなり、前記第1領域とは分離された複数の第2領域と、
前記ドリフト層の表面上に形成され、前記ドリフト層の表面にショットキー接触し、かつ前記第1領域にオーミック接触し、かつ前記第2領域にオーミック接触しないアノード電極と、
前記基板の裏面上に形成されたカソード電極と、
を含み、
前記アクティブ領域を(11-20)面に射影したときに、前記複数の第1領域は、<1-100>方向に正孔の拡散長の2倍よりも広い間隔を置いて配置され、
<1-100>方向に配置された前記第1領域と前記第1領域との間に、前記第2領域が配置されていることを特徴とする炭化珪素ダイオード。
IPC (6件)：
H01L 29/868
, H01L 29/861
, H01L 29/06
, H01L 21/329
, H01L 29/47
, H01L 29/872
H01L29/91 K
, H01L29/91 F
, H01L29/91 D
, H01L29/06 301G
, H01L29/91 B
, H01L29/48 D
, H01L29/48 F
, H01L29/48 E
4M104AA03
, 4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104CC03
, 4M104FF32
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 4M104HH20
