特許
J-GLOBAL ID：201203009900007815

アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置

発明者：
岡田 充弘

岡田 充弘 について

, 
東條 行雄

東條 行雄 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-251880
公開番号（公開出願番号）：特開2012-080109
出願日： 2011年11月17日
公開日（公表日）： 2012年04月19日
要約：
【課題】カバレッジ性能、及び、表面ラフネスの良好なアモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置を提供する。【解決手段】制御部100は、昇温用ヒータ16を制御して、複数枚の半導体ウエハWが収容された反応管2内を所定の温度に加熱する。次に、制御部100は、MFC制御部を制御して、加熱された反応管2内にアミノ系シランガスを供給する。そして、制御部100は、昇温用ヒータ16を制御して、反応管2内を所定の温度に加熱し、MFC制御部を制御して、加熱された反応管2内に処理ガス導入管17からエチレンを供給することにより、半導体ウエハWにアモルファスカーボン膜を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数枚の被処理体が収容された反応室内を所定の温度に加熱し、加熱した反応室内に成膜用ガスを供給して被処理体にアモルファスカーボン膜を形成するアモルファスカーボン膜の形成方法であって、 前記被処理体にアモルファスカーボン膜を形成する前に、前記反応室内にアミノ系シランガスを供給する、ことを特徴とするアモルファスカーボン膜の形成方法。
IPC (6件)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/31 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/768 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/02
FI (5件)：
H01L21/314 M ,  H01L21/31 B ,  H01L21/90 K ,  C23C16/26 ,  C23C16/02
Fターム (35件)：
4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BB05 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  5F033RR01 ,  5F033SS01 ,  5F033WW03 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045BB19 ,  5F045CB05 ,  5F058BA09 ,  5F058BC20 ,  5F058BD18 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF26 ,  5F058BF27 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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