特許
J-GLOBAL ID：200903061068788549

半導体装置およびその製造方法

発明者：
石川 拓

石川 拓 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-130142
公開番号（公開出願番号）：特開2008-182174
出願日： 2007年05月16日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：
【課題】Cuの拡散を防止することができ、かつ、層間の誘電率が高くなることを抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 ウエハWにCu配線層6を形成し、Cu配線層6の上に、炭化水素ガスを含む処理ガスを用いたCVDによりCu拡散バリアとしてアモルファスカーボン膜7を成膜し、その上にLow-k膜8を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 基板の上に形成された銅または銅合金からなる配線層と、 前記配線層の上に形成され、炭化水素ガスを含む処理ガスを用いたCVDにより成膜されたアモルファスカーボン膜からなる銅拡散バリア膜と、 前記銅拡散バリア膜の上に形成された低誘電率絶縁膜と を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/314
FI (4件)：
H01L21/88 A ,  H01L21/88 M ,  H01L21/88 R ,  H01L21/314 M
Fターム (45件)：
5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH15 ,  5F033HH17 ,  5F033HH19 ,  5F033HH25 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033SS01 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F058BD18 ,  5F058BF07 ,  5F058BF26 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (7件)
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