特許
J-GLOBAL ID：201203011807264802

成膜装置および成膜方法

発明者：
伊藤 英樹

伊藤 英樹 について

, 
津守 利郎

津守 利郎 について


出願人/特許権者：
株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー について


代理人 (2件)： 大阿久 敦子 ,  山下 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-190261
公開番号（公開出願番号）：特開2012-049339
出願日： 2010年08月27日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：
【課題】反応ガスがライナ等の基板周囲の部材に接触することを防止し、反応生成物が付着するのを防ぐことができる成膜装置および成膜方法を提供する。【解決手段】成膜装置100は、チャンバ1と、チャンバ1内に反応ガス26を供給する反応ガス供給部14と、チャンバ1内に不活性ガス25を供給する不活性ガス供給部4と、チャンバ1内に設けられた中空筒状のライナ2と、ライナ2内に設けられ、半導体基板6が載置されるサセプタ7とを有する。ライナ2は、反応ガス26の流路となる頭部31と、サセプタ7を内部に配置する胴部30とが、スリット38を介して配置されており、スリット38から不活性ガス25が流下するよう構成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
成膜室と、 前記成膜室内に反応ガスを供給する反応ガス供給部と、 前記成膜室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、 前記成膜室内に設けられた中空筒状のライナと、 前記ライナ内に設けられ、基板が載置されるサセプタとを有し、 前記ライナの内壁に沿って、前記不活性ガスが流下するよう構成されたことを特徴とする成膜装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/44 J
Fターム (22件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030KA12 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC09 ,  5F045AD18 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB06 ,  5F045EF05
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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