薄膜製造装置及び製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：東田潔 , 山下雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-287760
公開番号（公開出願番号）：特開2005-054252
出願日： 2003年08月06日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】良好な膜厚分布、組成分布、成膜レートを再現しつつ、パーティクル数が少なく、長期にわたって連続成膜を安定して行えることが可能な生産性、量産性に優れた薄膜製造装置及び製造方法の提供。【解決手段】反応空間である反応室上部からシャワーヘッドを介して反応室内に成膜ガスを導入し、加熱基板上で成膜するCVD装置である薄膜製造装置において、上部の反応空間が回転又は昇降しない基板ステージとシャワーヘッドと防着板とで構成され、防着板と基板ステージとで構成される同心円の隙間をガス排気経路として設け、このガス排気経路の上方から防着板に沿って不活性ガスが流れるように構成し、そしてガス排気経路の2次側に下部空間を設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空制御可能な真空槽の反応空間である反応室上部からシャワーヘッドを介して反応室内に成膜ガスを導入し、基板ステージにより加熱される基板上で化学反応により成膜するCVD装置である薄膜製造装置において、上部の反応空間が回転又は昇降しない基板ステージとシャワーヘッドと防着板とで構成され、該防着板と基板ステージとで構成される同心円の隙間をガス排気経路として設け、このガス排気経路の上方から防着板に沿って不活性ガスが流れるように構成し、かつ、ガス排気経路の2次側に下部空間を設けてあることを特徴とする薄膜製造装置。

IPC (2件)：

C23C16/455 , H01L21/205

FI (2件)：

C23C16/455 , H01L21/205

Fターム (26件)：

4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030BA18 , 4K030BA22 , 4K030BA35 , 4K030BA42 , 4K030EA01 , 4K030EA03 , 4K030EA11 , 4K030FA10 , 4K030KA05 , 4K030KA08 , 4K030KA12 , 4K030KA22 , 4K030KA46 , 5F045AA04 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AD09 , 5F045AF10 , 5F045BB15 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EC01

引用特許：

出願人引用 (9件)

混合器、薄膜製造装置及び薄膜製造方法
公報種別：再公表公報出願番号：JP2002012657 出願人：株式会社アルバック
CVD装置のシャワーヘッドノズル
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-128460 出願人：日本酸素株式会社
化学気相成長装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-156301 出願人：三菱電機株式会社

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審査官引用 (9件)

化学気相成長装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-156301 出願人：三菱電機株式会社
特開平3-107481
特開平3-107481

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