特許
J-GLOBAL ID：201203016013666380
ダイボンダ及び半導体製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-213200
公開番号（公開出願番号）：特開2012-069731
出願日： 2010年09月24日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：
【課題】本発明は、ダイを正確にボンディングできる信頼性の高いダイボンダ及び半導体製造方法を提供することである。【解決手段】本発明は、基板または前記基板近傍に設けられた基準マークと前記基板のボンディング位置に設けられた認識パターンとを撮像し、ダイを前記ボンディング位置に近接させ、前記基準マークとボンディング位置に近接した前記ダイとを撮像し、前記2つの撮像によって得られた撮像データに基づいてボンディング位置に近接した前記ダイの位置を補正して前記基板に前記ダイをボンディングする。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
基板または前記基板の近傍に設けられた基準マークと、
前記基準マークと前記基板のボンディング位置に設けられた認識パターンとを撮像する第1の撮像手段と、前記基準マークと前記ボンディング位置に近接したダイとを撮像する第2の撮像手段と、前記第1及び前記第2の撮像手段によって得られた撮像データに基づいて前記ボンディング位置に近接した前記ダイの位置を補正する補正手段とを具備するボンディング位置補正装置と、
を有することを特徴とするダイボンダ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F047AA11
, 5F047FA01
, 5F047FA08
, 5F047FA71
, 5F047FA72
, 5F047FA73
, 5F047FA79
, 5F047FA83
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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