特許
J-GLOBAL ID：201203026513443846

薄膜誘電体

発明者：
小林 伸聖

小林 伸聖 について

, 
岩佐 忠義

岩佐 忠義 について

, 
横井 敦史

横井 敦史 について

, 
大沼 繁弘

大沼 繁弘 について


出願人/特許権者：
公益財団法人電磁材料研究所

公益財団法人電磁材料研究所 について


代理人 (1件)： 村井 卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-214360
公開番号（公開出願番号）：特開2012-069428
出願日： 2010年09月24日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：
【課題】 従来の薄膜誘電体は、薄膜化することにより特性が劣化する。【解決手段】 ナノグラニュラー構造を有する薄膜誘電体:(イ)組成:一般式FeaCobNicMwNxOyFz,M成分はMg,Al,Si,Ti,Y,Zr,Nb,Hf及び/又はTa,組成比a,b,c,w,x,y,zは原子比率(%)で、0≦a≦60,0≦b≦60,0≦c≦60,10 請求項（抜粋）：
組成が一般式FeaCobNicMwNxOyFzで表わされ,M成分はMg,Al,Si,Ti,Y,Zr,Nb,Hf,Taのうちから選択される1種又は2種以上の元素であり,組成比a,b,c,w,x,y,zは原子比率(%)で、0≦a≦60,0≦b≦60,0≦c≦60,10 IPC (7件)：
H01B 3/02 ,  C01G 53/00 ,  H01B 3/00 ,  C01B 33/10 ,  C01G 51/00 ,  C03C 17/245 ,  C01G 49/10
FI (9件)：
H01B3/02 Z ,  C01G53/00 A ,  H01B3/00 F ,  C01B33/10 ,  C01G51/00 C ,  C01G51/00 B ,  C01G51/00 A ,  C03C17/245 A ,  C01G49/10
Fターム (36件)：
4G048AA01 ,  4G048AA03 ,  4G048AA05 ,  4G048AA06 ,  4G048AB01 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G059AA08 ,  4G059AC30 ,  4G059EA07 ,  4G059EB04 ,  4G072AA19 ,  4G072BB09 ,  4G072FF01 ,  4G072GG01 ,  4G072NN11 ,  4G072UU30 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG42 ,  5G303AA07 ,  5G303AB06 ,  5G303BA03 ,  5G303CA11 ,  5G303CB01 ,  5G303CB09 ,  5G303CB13 ,  5G303CB17 ,  5G303CB21 ,  5G303CB23 ,  5G303CB30 ,  5G303CB33 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303CB40
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM