特許
J-GLOBAL ID：201203030353091473

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
牧山 剛三

牧山 剛三 について

, 
吉川 俊英

吉川 俊英 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-276294
公開番号（公開出願番号）：特開2012-124436
出願日： 2010年12月10日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：
【課題】ゲート絶縁膜における電荷トラップを大幅に低減し、信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。【解決手段】化合物半導体層2と、化合物半導体層2上でゲート絶縁膜6を介して形成されたゲート電極7とを備えており、ゲート絶縁膜6は、SixNyを絶縁材料として含有しており、SixNyは、0.638≦x/y≦0.863であり、水素終端基濃度が2×1022/cm3以上5×1022/cm3以下の範囲内の値とされたものである。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
化合物半導体層と、 前記化合物半導体層上でゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と を含み、 前記ゲート絶縁膜は、SixNyを絶縁材料として含有しており、 前記SixNyは、0.638≦x/y≦0.863であり、水素終端基濃度が2×1022/cm3以上5×1022/cm3以下の範囲内の値とされたものであることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/318
FI (6件)：
H01L29/80 H ,  H01L27/06 F ,  H01L29/78 617S ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/318 C
Fターム (89件)：
5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD12 ,  5F058BD15 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01 ,  5F102FA01 ,  5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR09 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F110AA14 ,  5F110DD04 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE14 ,  5F110EE38 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF03 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG04 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK41 ,  5F110HK42 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ14 ,  5F140AA06 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA09 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD17 ,  5F140BE03 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF43 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BK26 ,  5F140BK33 ,  5F140CE02
引用特許：
審査官引用 (9件)
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