特許
J-GLOBAL ID：201203033432789477

トランジスタ構造体、トランジスタ構造体の製造方法及び発光装置

発明者：
山本 和人

山本 和人 について


出願人/特許権者：
カシオ計算機株式会社

カシオ計算機株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人光陽国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-205020
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064604
出願日： 2010年09月14日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：
【課題】トランジスタ特性が変化しにくい薄膜トランジスタを容易に作り分けること。【解決手段】ボトムゲート構造の第1薄膜トランジスタである駆動トランジスタ6と、トップゲート構造の第2薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ5とを形成する際、駆動トランジスタ6の第1ゲート電極6aとスイッチトランジスタ5の第2遮光膜5eを形成する工程と、スイッチトランジスタ5の第2ゲート電極5aと駆動トランジスタ6の第1遮光膜6eを形成する工程を別工程にし、それ以外の薄膜トランジスタの構成を共通の工程によって形成する。こうして、ゲート電極(6a、5a)と遮光膜(6e5e)を形成する以外の工程を共通の製造工程とする製造方法によって、駆動トランジスタ6とスイッチトランジスタ5を作り分けることを可能にした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1ゲート電極と、前記第1ゲート電極を覆う絶縁膜と、前記第1ゲート電極に対応する位置の前記絶縁膜上に形成された結晶性シリコンを含む第1半導体膜と、前記第1半導体膜上の中央側に形成されて前記第1半導体膜のチャネル領域を覆う第1保護絶縁膜と、前記第1半導体膜の前記チャネル領域を挟む一対の端部に接続されたソース電極及びドレイン電極と、前記第1保護絶縁膜上であって且つ前記第1半導体膜のチャネル領域に対応する位置に形成された第1遮光膜と、を備える第1薄膜トランジスタと、 前記絶縁膜上に形成された結晶性シリコンを含む第2半導体膜と、前記第2半導体膜上の中央側に形成されて前記第2半導体膜のチャネル領域を覆う第2保護絶縁膜と、前記第2半導体膜の前記チャネル領域を挟む一対の端部に接続されたソース電極及びドレイン電極と、前記第2保護絶縁膜上に形成された第2ゲート電極と、前記絶縁膜下であって且つ前記第2半導体膜のチャネル領域に対応する位置に形成された第2遮光膜と、を備える第2薄膜トランジスタと、 を備え、 前記第1半導体膜および前記第2半導体膜の前記一対の端部は、それぞれ不純物半導体領域であり、 前記第1半導体膜および前記第2半導体膜の前記チャネル領域は、前記絶縁膜側となる第1領域と、その反対面側となる第2領域と、を有し、前記第1領域と前記第2領域の何れか一方のシリコンの結晶化度が他方に比べて高いことを特徴とするトランジスタ構造体。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/50
FI (4件)：
H01L29/78 618E ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 619B ,  H05B33/14 A
Fターム (55件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC33 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107EE59 ,  3K107FF04 ,  3K107FF15 ,  3K107HH05 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG45 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN54 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11
引用特許：
審査官引用 (9件)
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