特許
J-GLOBAL ID：201203034931355859

スイッチングが改良されたハイブリッド磁気トンネル接合要素を提供するための方法およびシステム

発明者：
ドミトロ・アパルコフ

ドミトロ・アパルコフ について

, 
モハマド・トウフィック・クロウンビ

モハマド・トウフィック・クロウンビ について


出願人/特許権者：
グランディス インコーポレイテッド

グランディス インコーポレイテッド について


代理人 (4件)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-242355
公開番号（公開出願番号）：特開2012-104825
出願日： 2011年11月04日
公開日（公表日）： 2012年05月31日
要約：
【課題】スイッチングが改良されたハイブリッド磁気トンネル接合要素を提供するための方法およびシステムを提供すること。【解決手段】磁気デバイスで有用な磁気接合を提供するための方法およびシステムを説明する。磁気接合は、ピンド層、非磁性スペーサ層、および自由層を含む。非磁性スペーサ層は、ピンド層と自由層の間にある。自由層は、円錐状の容易磁気異方性を有する。磁気接合は、磁気接合に書き込み電流が流されるときに自由層が複数の安定な磁気状態間で切替え可能であるように構成される。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
磁気デバイスで使用するための磁気接合であって、 ピンド層と、 非磁性スペーサ層と、 円錐状の容易磁気異方性を有する自由層と、を備え、 前記非磁性スペーサ層が前記ピンド層と前記自由層の間に位置し、 磁気接合が、磁気接合に書き込み電流が流されるときに前記自由層が複数の安定な磁気状態間で切替え可能であるように構成される、磁気デバイスで使用するための磁気接合。
IPC (4件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z
Fターム (25件)：
4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC46 ,  5F092BE27
引用特許：
審査官引用 (7件)
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