特許
J-GLOBAL ID：200903077137184468

整流素子およびその製造方法

発明者：
星野 孝志

星野 孝志 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-179177
公開番号（公開出願番号）：特開2006-352006
出願日： 2005年06月20日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】 定常損失を低減しつつ耐圧を向上することのできる整流素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の整流素子10は、ワイドバンドギャップ半導体よりなるn-半導体層2と、n-半導体層2内に形成され、かつ平面的に見てn-半導体層2を囲むように形成されたp型半導体層5a,5bと、n-半導体層2とショットキー接触し、かつp型半導体層5a,5bと電気的に接続されたショットキー電極3と、ショットキー電極3とは異なる電位を印加可能であり、かつn-半導体層2に電気的に接続されたカソード電極4とを備えている。ショットキー電極3とカソード電極4との電位差が変化することにより、ショットキー電極3とカソード電極4との間に電流を流す状態と、p型半導体層5a,5bに囲まれるn-半導体層2を空乏層化させてショットキー電極3とカソード電極4との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ワイドバンドギャップ半導体よりなる第1導電型の第1不純物領域と、 前記第1不純物領域内に形成され、かつ平面的に見て前記第1不純物領域を囲むように形成された第2導電型の第2不純物領域と、 前記第1不純物領域とショットキー接触し、かつ前記第2不純物領域と電気的に接続された第1電極と、 前記第1電極とは異なる電位を印加可能であり、かつ前記第1不純物領域に電気的に接続された第2電極とを備え、 前記第1電極と前記第2電極との電位差が変化することにより、前記第1電極と前記第2電極との間に電流を流す状態と、前記第2不純物領域に囲まれる前記第1不純物領域を空乏層化させて前記第1電極と前記第2電極との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能な、整流素子。
IPC (3件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/93
FI (2件)：
H01L29/48 F ,  H01L29/93 S
Fターム (13件)：
4M104AA03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104FF26 ,  4M104FF32 ,  4M104GG03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (13件)
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