特許
J-GLOBAL ID：201203042633492544

半導体装置の製造方法及び基板処理装置

発明者：
小川 有人

小川 有人 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-250085
公開番号（公開出願番号）：特開2012-104569
出願日： 2010年11月08日
公開日（公表日）： 2012年05月31日
要約：
【課題】 高誘電率絶縁膜中に取り込まれたOHを除去し、信頼性を向上させる。【解決手段】 基板を収容した処理容器内に原料ガスを供給し排気する工程と、処理容器内に反応ガスを供給し排気する工程と、を1サイクルとしてこのサイクルを1回以上行うことで基板上に高誘電率絶縁層を形成する工程と、処理容器内にアンモニアガスを供給し排気することで高誘電率絶縁層を改質する工程と、を1セットとしてこのセットを1回以上行うことで基板上に所定膜厚の高誘電率絶縁膜を形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板を収容した処理容器内に原料ガスを供給し排気する工程と、前記処理容器内に反応ガスを供給し排気する工程と、を1サイクルとしてこのサイクルを1回以上行うことで前記基板上に高誘電率絶縁層を形成する工程と、 前記処理容器内にアンモニアガスを供給し排気することで前記高誘電率絶縁層を改質する工程と、 を1セットとしてこのセットを1回以上行うことで前記基板上に所定膜厚の高誘電率絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/44
FI (2件)：
H01L21/316 X ,  C23C16/44 A
Fターム (20件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030KA41 ,  4K030LA02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (6件)
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