薄膜の製造方法および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-336961
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147896
出願日： 2004年11月22日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】原子層蒸着法を用い、シリコン原子の層、酸素原子の層、金属原子の層等を吸着させて金属シリケートの層を形成し、それを窒化および酸化することで、比誘電率、耐熱性、電流リーク特性に優れた高性能なキャパシタ絶縁膜を得ることを可能とする。【解決手段】原子層蒸着法を用いた薄膜の製造方法であって、シリコン原子の層を形成するとともにシリコン原子の層上に酸素原子の層を形成する工程(「Si-Oサイクル」S20)および金属原子の層を形成するととも金属原子の層上に酸素原子の層を形成する工程(「金属-Oサイクル」S30)のいずれも少なくとも一回以上行う成膜工程S2を備え、前記成膜工程S2で成膜された金属シリケートの層に窒素を含むガスを供給する窒素供給工程S3と、前記成膜工程で成膜された金属シリケートの層に酸素を含むガスを供給する酸素供給工程S4とを備えた製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

原子層蒸着法を用いた薄膜の製造方法であって、シリコン原子の層を形成するとともにシリコン原子の層上に酸素原子の層を形成する工程および金属原子の層を形成するととも金属原子の層上に酸素原子の層を形成する工程のいずれも少なくとも一回以上行う成膜工程を備え、前記成膜工程で成膜された金属シリケートの層に窒素を含むガスを供給する窒素供給工程と、前記成膜工程で成膜された金属シリケートの層に酸素を含むガスを供給する酸素供給工程とを備えたことを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 , C23C 16/30 , H01L 27/108 , H01L 21/824

FI (5件)：

H01L21/318 C , H01L21/318 M , C23C16/30 , H01L27/10 625A , H01L27/10 651

Fターム (37件)：

4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030BA01 , 4K030BA38 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030HA14 , 4K030LA15 , 5F058BA01 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BC12 , 5F058BC20 , 5F058BD05 , 5F058BD06 , 5F058BD16 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BH05 , 5F058BJ04 , 5F083AD17 , 5F083JA19 , 5F083PR03 , 5F083PR12 , 5F083PR15 , 5F083PR21 , 5F083PR33

引用特許：

出願人引用 (1件)

原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-117104 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (9件)

高誘電率誘電体材料の安定化
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-527300 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-255454 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-048515 出願人：株式会社東芝

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