特許
J-GLOBAL ID：201203043502325053

窒化物半導体装置及びその製造方法

発明者：
吉岡 啓

吉岡 啓 について

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斉藤 泰伸

斉藤 泰伸 について

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藤本 英俊

藤本 英俊 について

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大野 哲也

大野 哲也 について

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齋藤 渉

齋藤 渉 について

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杉山 亨

杉山 亨 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-064254
公開番号（公開出願番号）：特開2012-204351
出願日： 2011年03月23日
公開日（公表日）： 2012年10月22日
要約：
【課題】低オン抵抗、高耐圧及び高信頼性を達成する。【解決手段】窒化物半導体装置110は、第1半導体層3、第2半導体層4、第1電極10、第2電極7、第3電極8、第1絶縁膜6及び第2絶縁膜5を備える。第1半導体層3は、窒化物半導体を含む。第2半導体層4は、第1半導体層3上に設けられ、孔部4aを有する。第2半導体層4は、第1半導体層3よりも広い禁制帯幅を有する窒化物半導体を含む。第1電極10は、孔部4a内に設けられる。第1電極10の一方側に第2電極7、他方側に第3電極8が設けられ、それぞれ第2半導体層4と電気的に接続される。第1絶縁膜6は、酸素を含有する膜であって、第1電極10と孔部4aの内壁とのあいだ、及び第1電極10と第2電極7とのあいだに設けられ、第3電極8と離間して設けられる。第2絶縁膜5は、窒素を含有する膜であって、第1電極10と第3電極8とのあいだで第2半導体層4に接して設けられる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体を含む第1半導体層と、 前記第1半導体層の上に設けられ、前記第1半導体層の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する窒化物半導体を含み、孔部を有する第2半導体層と、 前記孔部内に設けられた第1電極と、 前記第2半導体層の上に設けられ、前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極と、 前記第2半導体層の上において、前記第2電極とのあいだに前記第1電極をはさむように設けられ、前記第2半導体層と電気的に接続された第3電極と、 酸素を含有する膜であって、前記第1電極と前記孔部の内壁とのあいだ、及び前記第1電極と前記第2電極とのあいだに設けられ、前記第3電極と離間して設けられた第1絶縁膜と、 窒素を含有する膜であって、前記第1電極と前記第3電極とのあいだにおいて前記第2半導体層に接して設けられた第2絶縁膜と、 を備えたことを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (8件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 L ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/283 C ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617A ,  H01L29/78 619A
Fターム (81件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104CC05 ,  4M104DD79 ,  4M104EE01 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF07 ,  4M104FF27 ,  4M104GG08 ,  4M104HH20 ,  5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GL04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR11 ,  5F102GR12 ,  5F102GR13 ,  5F102GS04 ,  5F102GS06 ,  5F102GS09 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102GV09 ,  5F102HC01 ,  5F110AA13 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110DD04 ,  5F110EE22 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF12 ,  5F110FF36 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HM12 ,  5F110HM14 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16 ,  5F140BF43 ,  5F140BF53 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ25 ,  5F140BK38 ,  5F140CA10 ,  5F140CC02 ,  5F140CC08 ,  5F140CD09
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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