特許
J-GLOBAL ID：201203043517186254
非晶質炭素膜およびその成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
和気 操
, 和気 光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-096181
公開番号（公開出願番号）：特開2012-233257
出願日： 2012年04月20日
公開日（公表日）： 2012年11月29日
要約：
【課題】バイポーラ型のPBII装置用電源を用いて低真空下での良好な非晶質炭素膜の成膜を可能とする成膜方法、および、該成膜方法で得られる非晶質炭素膜を提供する。【解決手段】バイポーラ型のPBII装置用電源を用いた低真空下(1000〜30000Pa程度)での非晶質炭素膜の成膜方法であって、チャンバー1内に、PBII装置用電源6に接続される電源側電極3と、電極3と対向するアース側電極4とを設け、電源側電極3およびアース側電極4のいずれか一方に基材2を配置し、基材2と、基材2を配置しない電極との間において、希ガスと炭化水素系ガスのプラズマを発生させて、基材2の表面に非晶質炭素膜を成膜する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
バイポーラ型のプラズマ利用イオン注入装置用電源を用いた低真空下での非晶質炭素膜の成膜方法であって、
チャンバー内に、前記プラズマ利用イオン注入装置用電源に接続される電源側電極と、該電極と対向するアース側電極とを設け、前記電源側電極および前記アース側電極のいずれか一方に基材を配置し、該基材と、該基材を配置しない電極との間において、希ガスと炭化水素系ガスのプラズマを発生させて、前記基材表面に非晶質炭素膜を成膜することを特徴とする非晶質炭素膜の成膜方法。
IPC (5件)：
C23C 16/27
, C23C 14/14
, C23C 16/515
, C01B 31/02
, C23C 28/00
C23C16/27
, C23C14/14 D
, C23C16/515
, C01B31/02 101Z
, C23C28/00 B
4G146AA01
, 4G146AB07
, 4G146AD02
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC23
, 4G146BC27
, 4G146BC38A
, 4G146BC38B
, 4G146BC43
, 4G146DA23
, 4K029AA02
, 4K029AA04
, 4K029BA07
, 4K029CA05
, 4K029DC39
, 4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030AA10
, 4K030AA16
, 4K030BA28
, 4K030BA29
, 4K030BB12
, 4K030CA02
, 4K030CA03
, 4K030DA02
, 4K030EA06
, 4K030HA04
, 4K030JA01
, 4K030JA05
, 4K030JA09
, 4K030JA16
, 4K030KA14
, 4K030KA30
, 4K030KA32
, 4K044AA02
, 4K044AA03
, 4K044AA06
, 4K044BA02
, 4K044BA10
, 4K044BA19
, 4K044BA21
, 4K044BB02
, 4K044BB03
, 4K044CA11
, 4K044CA12
, 4K044CA13
, 4K044CA14
, 4K044CA18
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (15件)
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