特許
J-GLOBAL ID：200903095170947114
放電プラズマ発生方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
細田 益稔
, 青木 純雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-012264
公開番号（公開出願番号）：特開2007-194110
出願日： 2006年01月20日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：
【課題】放電プラズマの電子密度を向上させ、電子温度を低減させるような放電プラズマ発生方法を提供すること。【解決手段】ガス供給孔2から原料ガスをチャンバー1に導入する。電極4,5間に静電誘導サイリスタ素子を用いた電源3からパルス電圧を印加することによって放電プラズマを発生させる。パルス電圧のデューティー比(%)=(パルスのオン時間の和/パルス周期)X100を0.001%以上、8.0%以下に制御する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
処理ガスにパルス電圧を印加することによって放電プラズマを発生させるプラズマ発生方法であって、
前記パルス電圧のデューティー比を0.001%以上、8.0%以下に制御することを特徴とする、放電プラズマ発生方法。
IPC (3件)：
H05H 1/24
, C23C 16/26
, C23F 4/00
H05H1/24
, C23C16/26
, C23F4/00 A
4K030AA09
, 4K030BA28
, 4K030FA03
, 4K030JA03
, 4K030JA06
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030JA16
, 4K030JA18
, 4K030KA15
, 4K030KA30
, 4K057DA16
, 4K057DD01
, 4K057DG08
, 4K057DG15
, 4K057DM02
, 4K057DM03
, 4K057DM18
, 4K057DM37
出願人引用 (6件)
-
薄膜の製造方法および薄膜
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-295768
出願人：日本碍子株式会社
-
ドライエッチング方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-126616
出願人：ソニー株式会社
-
特許第3705977
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審査官引用 (13件)
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引用文献：
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