有機薄膜トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：大野聖二 , 森田耕司 , 田中玲子 , 松任谷優子 , 鈴木守 , 津田理
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-501587
公開番号（公開出願番号）：特表2010-524218
出願日： 2008年04月03日
公開日（公表日）： 2010年07月15日
要約：

チャンネル領域を介在させたソース電極(2)及びドレイン電極(4)と、ゲート電極(1)と、前記ソース電極(2)及びドレイン電極(4)と前記ゲート電極(1)の間に配置した誘電体層(10)とを備える構造を提供する工程と、前記ソース電極(2)及びドレイン電極(4)をマスクとして用いて前記誘電体層(10)をパターニングし、前記チャンネル領域に隣接する誘電体の領域よりも薄い誘電体の領域を前記チャンネル領域に形成する工程とを含む有機薄膜トランジスタを形成する方法。

請求項（抜粋）：

チャンネル領域を介在させたソース電極及びドレイン電極と、ゲート電極と、前記ソース電極及びドレイン電極と前記ゲート電極との間に配置した誘電体層とを備える構造を提供することと、前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして用いて前記誘電体層をパターニングし、前記チャンネル領域に隣接する誘電体の領域よりも薄い誘電体の領域を前記チャンネル領域に形成することと、を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタを形成する方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , H01L 51/50

FI (5件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/78 617S , H01L29/28 100A , H05B33/14 A

Fターム (45件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC31 , 3K107CC45 , 3K107EE03 , 3K107GG00 , 3K107HH05 , 5F110AA02 , 5F110AA06 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE47 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK17 , 5F110HK32 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ12 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (9件)

自己整合電極を有するデバイスの作製方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-502226 出願人：プラスティックロジックリミテッド, ケンブリッジ・エンタープライズ・リミテッド
有機半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-209065 出願人：シャープ株式会社
電界効果型トランジスタ、これを用いた画像表示装置及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-037047 出願人：シャープ株式会社

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