特許
J-GLOBAL ID：201203046233583198
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-245187
公開番号（公開出願番号）：特開2012-099601
出願日： 2010年11月01日
公開日（公表日）： 2012年05月24日
要約：
【課題】パンチスルーの発生を抑制しつつオン抵抗を低減することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】MOSFET1は、炭化珪素基板10と、活性層20と、ゲート酸化膜30と、ゲート電極40とを備えている。活性層20は、ゲート電極40に電圧が印加されることによりゲート酸化膜30に接触する領域に反転層29が形成されるボディ領域22を含む。ボディ領域22は、反転層29が形成される領域に配置され、低濃度の不純物を含む低濃度領域22Bと、反転層29におけるキャリアの移動方向において低濃度領域22Bに隣接し、反転層29が形成される領域に配置され、低濃度領域22Bよりも高濃度の不純物を含む高濃度領域22Aとを有している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素からなる基板と、
炭化珪素からなり、前記基板上に形成されたエピタキシャル成長層と、
絶縁体からなり、前記エピタキシャル成長層に接触して配置されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接触して配置されたゲート電極とを備え、
前記エピタキシャル成長層は、前記ゲート電極に電圧が印加されることにより前記ゲート絶縁膜に接触する領域に反転層が形成されるボディ領域を含み、
前記ボディ領域は、
前記反転層が形成される領域に配置され、低濃度の不純物を含む低濃度領域と、
前記反転層におけるキャリアの移動方向において前記低濃度領域に隣接し、前記反転層が形成される領域に配置され、前記低濃度領域よりも高濃度の不純物を含む高濃度領域とを有する、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L29/78 652T
, H01L29/78 652E
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658A
