特許
J-GLOBAL ID：201203053736537742
発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-290135
公開番号（公開出願番号）：特開2012-138479
出願日： 2010年12月27日
公開日（公表日）： 2012年07月19日
要約：
【課題】高輝度の発光素子を提供する。【解決手段】実施形態によれば、発光素子は、発光層を含む半導体積層体と、半導体積層体の上で、半導体積層体に直接的に接続された第1上部電極と、半導体積層体の上で、半導体積層体に第1コンタクト層を介して接続され、第1上部電極から延出された、少なくとも1つの第2上部電極と、半導体積層体の下に設けられた下部電極と、を備える。発光素子は、半導体積層体と、下部電極と、の間に設けられ、発光層から発せられる光を透過する透明導電層と、透明導電層と、下部電極と、の間に設けられた光反射層と、半導体積層体と、透明導電層と、の間および半導体積層体と、第1上部電極および第2上部電極と、の間の少なくともいずれかに設けられ、発光層の主面に対して垂直な方向からみて少なくとも1つのスリットが選択的に設けられた電流阻止層と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光層を含む半導体積層体と、
前記半導体積層体の上で、前記半導体積層体に直接的に接続された第1上部電極と、
前記半導体積層体の上で、前記半導体積層体に第1コンタクト層を介して接続され、前記第1上部電極から延出された、少なくとも1つの第2上部電極と、
前記半導体積層体の下に設けられた下部電極と、
前記半導体積層体と、前記下部電極と、の間に設けられ、前記発光層から発せられる光を透過する透明導電層と、
前記透明導電層と、前記下部電極と、の間に設けられた光反射層と、
前記半導体積層体と、前記透明導電層と、の間および前記半導体積層体と、前記第1上部電極および第2上部電極と、の間の少なくともいずれかに設けられ、前記発光層の主面に対して垂直な方向からみて少なくとも1つのスリットが選択的に設けられた電流阻止層と、
を備えたことを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 130
, H01L33/00 150
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA65
, 5F041CA77
, 5F041CA88
, 5F041CA93
, 5F041CA98
, 5F041CB04
, 5F041CB15
, 5F041CB36
, 5F141AA03
, 5F141AA04
, 5F141CA04
, 5F141CA12
, 5F141CA65
, 5F141CA77
, 5F141CA88
, 5F141CA93
, 5F141CA98
, 5F141CB04
, 5F141CB15
, 5F141CB36
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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