特許

J-GLOBAL ID：201203055040195530

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-183199
公開番号（公開出願番号）：特開2012-069935
出願日： 2011年08月25日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：

【課題】半導体性酸化物を用いた半導体装置は、可視光や紫外光を照射することで電気的特性が変化する。このような問題に鑑み、半導体性酸化物膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。【解決手段】亜鉛のように400〜700°Cで加熱した際にガリウムよりも揮発しやすい材料を酸化ガリウムに添加したターゲットを用いて、スパッタリング方法で成膜したものを400〜700°Cで加熱することにより、添加された材料を膜の表面近傍に偏析させ、かつ、その酸化物を結晶化させる。さらに、その上に半導体性酸化物膜を堆積し、熱処理することにより結晶化した酸化物の結晶構造を引き継いだ結晶を有する半導体性酸化物を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも第1の金属元素と第2の金属元素を有する酸化物よりなる第1の膜を基板上に形成する工程と、 前記第1の膜を加熱処理し、第1の金属元素を主たる金属成分とする酸化物の結晶を含む第1の層と、第1の層より基板側にあり、第2の金属元素を主たる金属成分とする酸化物よりなる第2の層を形成する工程と、 前記第1の層に接して、酸化物よりなる第2の膜を形成し、加熱処理する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L21/20 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U

Fターム (81件)：

5F110AA17 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN44 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP36 ,  5F152AA03 ,  5F152AA07 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC07 ,  5F152CC08 ,  5F152CD14 ,  5F152CD16 ,  5F152CD17 ,  5F152CE01 ,  5F152CE08 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152CE45 ,  5F152DD08 ,  5F152EE14 ,  5F152EE16 ,  5F152FF14 ,  5F152FF15 ,  5F152FF16 ,  5F152FF17 ,  5F152FF22 ,  5F152FF30

引用特許：

審査官引用 (5件)

• ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-266012   出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-198214   出願人：出光興産株式会社
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-268997   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 自然超格子ホモロガス単結晶薄膜とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-340066   出願人：科学技術振興事業団, 折田政寛, 太田裕道
• トランジスタとこれを含む半導体素子及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-119199   出願人：三星電子株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Self-Adjusted, Three-Dimensional Lattice-Matched Buffer Layer for Growing ZnO Epitaxial Film: Homolo