特許
J-GLOBAL ID：201203056718168127

窒化物半導体構造

発明者：
赤坂 哲也

赤坂 哲也 について

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小林 康之

小林 康之 について

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嘉数 誠

嘉数 誠 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-049445
公開番号（公開出願番号）：特開2012-182459
出願日： 2012年03月06日
公開日（公表日）： 2012年09月20日
要約：
【課題】原子レベルで平坦な表面またはヘテロ界面を有する窒化物半導体構造を提供する。【解決手段】窒化物半導体基板101は、(11-20)面を主方位面とするGaNであり、らせん成分を含む貫通転位104の密度は1×105cm-2であった。該基板上に複数の開口部103(1辺が20ミクロンの正方形)を有するマスク材102(酸化シリコン薄膜、厚さ100nm)が形成されている。該開口部には、n型GaN層106a、アンドープAlN層106b、アンドープGaN層106c、アンドープAlN層106d、および、n型GaN層106eが順次形成されている。様々な条件下で貫通転位104の密度と開口部103の面積との関係を検討すると、貫通転位密度がNcm-2である場合、各開口部103の面積が1/Ncm2以下であれば各開口部103内に形成した窒化物半導体多層薄膜の少なくとも一つの界面が平坦になることを見出した。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板と、 前記窒化物半導体基板上に形成された、複数の開口部を有するマスク層と、 前記複数の開口部のそれぞれに形成された複数の窒化物半導体多層薄膜と を備える窒化物半導体構造であって、 各開口部の面積は、前記窒化物半導体基板のらせん成分を含む貫通転位密度の逆数より狭く、 前記貫通転位密度は、103cm-2以上107cm-2以下であり、 前記窒化物半導体多層薄膜は、前記開口部に島状に独立して形成され、前記島状に形成された窒化物半導体多層薄膜のうち少なくとも一つの窒化物半導体多層薄膜の少なくとも一つの界面について、前記界面を構成する原子テラスのうち最も広い原子テラスが、前記界面の面積の80%以上の面積を持つことを特徴とする窒化物半導体構造。
IPC (7件)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/88 ,  H01L 21/329 ,  C30B 29/38 ,  H01L 29/205
FI (6件)：
H01L21/205 ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 H ,  H01L29/88 ,  C30B29/38 D ,  H01L29/205
Fターム (19件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB10 ,  4G077BE11 ,  4G077BE12 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045AF20 ,  5F045DB02
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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