特許
J-GLOBAL ID：201203059303682290

圧電素子およびその製造方法

発明者：
松田 伸也

松田 伸也 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタホールディングス株式会社

コニカミノルタホールディングス株式会社 について


代理人 (3件)： 佐野 静夫 ,  井上 温 ,  井上 靖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-246080
公開番号（公開出願番号）：特開2012-099636
出願日： 2010年11月02日
公開日（公表日）： 2012年05月24日
要約：
【課題】結晶系の異なる圧電材料の厚さ方向の分布にムラが生じるのを抑えて、基板上に圧電体を薄膜化した構成で圧電特性を向上させる。【解決手段】基板上に形成される圧電薄膜4は、結晶系の異なる圧電材料からなる層が、各層ごとに柱状結晶を並べた状態で交互に積層されて構成される。各圧電材料の組成比は、結晶系が変化する相境界を構成する組成比である。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
基板上に圧電薄膜を成膜した圧電素子であって、 前記圧電薄膜は、結晶系の異なる圧電材料からなる層が、各層ごとに柱状結晶を並べた状態で交互に積層されて構成されており、 前記各圧電材料の組成比は、前記結晶系が変化する相境界を構成する組成比であることを特徴とする圧電素子。
IPC (7件)：
H01L 41/22 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/09 ,  C23C 14/08
FI (7件)：
H01L41/22 Z ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 A ,  H01L41/08 Z ,  H01L41/08 C ,  C23C14/08 N
Fターム (8件)：
4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC16 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39
引用特許：
審査官引用 (9件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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