特許
J-GLOBAL ID：201203060305834045
焼結金属接合、好ましくは焼結銀接合を有するパワー半導体モジュールおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鷲田 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-191590
公開番号（公開出願番号）：特開2012-099794
出願日： 2011年09月02日
公開日（公表日）： 2012年05月24日
要約：
【課題】製造が単純化され、熱放散および電気絶縁が最適化され、それと同時に通電容量が増大するように、上述したタイプのパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】基板102と、少なくとも1つのパワー半導体デバイス104と、少なくとも1つのリードフレーム要素106とを有するパワー半導体モジュールに関する。さらに、このようなパワー半導体モジュール100の製造方法。少なくとも1つの第1のリードフレーム要素とパワー半導体デバイスとの間の接合と、第1のリードフレーム要素と基板との間の接合は、焼結金属接合110、好ましくは焼結銀接合を備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板(102)と、少なくとも1つのパワー半導体デバイス(104)と、少なくとも1つの第1のリードフレーム要素(106)とを有するパワー半導体モジュールであって、
前記少なくとも1つの第1のリードフレーム要素(106)が、第1の面において前記パワー半導体デバイス(104)に接合されており、前記第1の面とは反対側の第2の面において前記基板(102)に接合されており、
前記少なくとも1つの第1のリードフレーム要素と前記パワー半導体デバイスとの間の前記接合と、前記第1のリードフレーム要素と前記基板との間の前記接合が、焼結金属接合(110)を備えている、
パワー半導体モジュール。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/52
H01L25/04 C
, H01L21/52 E
5F047AA11
, 5F047BA00
, 5F047BA15
