特許
J-GLOBAL ID：201103067987884259
多階調マスクの製造方法およびエッチング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-095698
公開番号（公開出願番号）：特開2011-227223
出願日： 2010年04月19日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：
【課題】マスク製造段階での基板ダメージの発生が少なく、透光部の露光光透過率が高く、かつ露光光透過率分布の面内均一性の高い多階調マスクの製造方法を提供する。【解決手段】透光性基板上に、遮光部、透光部及び露光光の一部を透過する半透光部からなる転写パターンを有する多階調マスクの製造方法であって、透光性基板上に金属およびケイ素を含有する材料、またはタンタル等から選ばれる1以上の金属を含有する材料からなる半透光膜と、クロムを含有する材料からなる遮光膜とをこの順に積層したマスクブランクを用意する工程と、遮光膜に透光部のパターンを形成する工程と、遮光膜に形成された透光部のパターンをマスクとして半透光膜を、塩素、臭素、ヨウ素、及びキセノンのうちのいずれかの元素とフッ素との化合物を含む非励起状態の物質によってエッチングする工程と、遮光膜に遮光部のパターンを形成する工程とを有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
透光性基板上に、遮光部、透光部、および露光光の一部を透過する半透光部からなる転写パターンを有する多階調マスクの製造方法において、
透光性基板上に、金属およびケイ素を含有する材料、またはタンタル(Ta)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、タングステン(W)、亜鉛(Zn)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、イットリウム(Y)、ロジウム(Rh)、ニオブ(Nb)、ランタン(La)、パラジウム(Pd)、鉄(Fe)、アルミニウム(Al)、ゲルマニウム(Ge)およびスズ(Sn)から選ばれる1以上の金属を含有する材料からなる半透光膜と、クロム(Cr)を含有する材料からなる遮光膜とをこの順に積層したマスクブランクを用意する工程と、
前記遮光膜に透光部のパターンを形成する工程と、
前記遮光膜に形成された透光部のパターンをマスクとして、前記半透光膜を、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちのいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質によってエッチングする工程と、
前記遮光膜に遮光部のパターンを形成する工程と
を有することを特徴とする多階調マスクの製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
Fターム (3件)：
2H095BB14
, 2H095BC05
, 2H095BC24
