特許
J-GLOBAL ID：200903026491618994

窒化物系半導体素子の製造方法

発明者：
岡川 広明

岡川 広明 について

, 
大内 洋一郎

大内 洋一郎 について

, 
只友 一行

只友 一行 について

, 
峯 英規

峯 英規 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-296241
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064426
出願日： 2003年08月20日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】 ウエハー基板上に窒化物系半導体素子となる部位を多数形成したウエハーを、個々の素子へと分断する工程を有する、窒化物系半導体素子の製造方法において、スクライバーによる分断に係る欠点を軽減し、好ましくは、好ましくは、スクライブ法に係る欠点を軽減すると同時にGaN系素子における光取り出し効率を向上させること。 【解決手段】 ウエハー基板の一方の面上に窒化物系半導体からなる積層体を形成し、分断後に素子となる部位に個々の素子に必要な構造を付与し、 分断後に素子となる部位同士の間には分断シロを設け、 ウエハー基板の他方の面に対し、および/または窒化物系半導体からなる積層体に対し、該分断シロに沿ってスクライバーで割溝を形成し、 上記割溝の内部斜面をドライエッチングによって平滑化した後、該割溝において個々の素子へと分断することを特徴とする、窒化物系半導体素子の製造方法。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ウエハー基板の一方の面上に窒化物系半導体からなる積層体を形成し、分断後に素子となる部位に個々の素子に必要な構造を付与し、 分断後に素子となる部位同士の間には分断シロを設け、 ウエハー基板の他方の面に対し、および/または窒化物系半導体からなる積層体に対し、該分断シロに沿ってスクライバーで割溝を形成し、 上記割溝の内部斜面をドライエッチングによって平滑化した後、該割溝において個々の素子へと分断することを特徴とする、 窒化物系半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/301 ,  H01L33/00
FI (2件)：
H01L21/78 V ,  H01L33/00 C
Fターム (9件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07
引用特許：
出願人引用 (14件)
全件表示
審査官引用 (4件)
  • 半導体チップとその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-343350   出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-283383   出願人：三菱電機株式会社
  • 発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-190069   出願人：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM