特許
J-GLOBAL ID：201203063068380483
六ホウ化ランタン微粒子の製造方法、六ホウ化ランタン微粒子、六ホウ化ランタン焼結体、六ホウ化ランタン膜及び有機半導体デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
大谷 保
, 東平 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-076974
公開番号（公開出願番号）：特開2012-214374
出願日： 2012年03月29日
公開日（公表日）： 2012年11月08日
要約：
【課題】LaB6焼結体作製用の原料粉末として好適な、高純度で粒径の小さなLaB6微粒子の製造方法を提供する。【解決手段】(a)平均粒径20nm以上220nm以下のランタン化合物微粒子と平均粒径20nm以上10μm以下のホウ素化合物微粒子とを、B/La原子比4以下になるように溶媒及び樹脂中に混合させる工程、(b)混合液の乾燥工程、(c)乾燥物を真空中又は不活性ガス雰囲気中で炭化後、真空、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気のいずれかの雰囲気中にて1150°C以上1600°C以下で熱処理する工程、及び(d)熱処理物を大気中にて500°C以上800°C以下で加熱酸化処理し、無機酸中で酸処理する工程を有し、(a)工程において、樹脂の質量がランタン化合物微粒子及びホウ素化合物微粒子の合計質量に対して0.5質量%以上10質量%以下である六ホウ化ランタン微粒子の製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(a)平均粒径が20nm以上220nm以下のランタン化合物微粒子と、平均粒径が20nm以上10μm以下のホウ素化合物微粒子とを、B/La原子比で4以下になるように溶媒及び樹脂中に混合させる工程、
(b)前記(a)工程で得られた混合液を乾燥させる工程、
(c)前記(b)工程により得られる乾燥物を真空中又は不活性ガス雰囲気中で炭化させた後、真空、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気のいずれか1つから選択される雰囲気中にて1150°C以上1600°C以下で熱処理する工程、及び、
(d)前記(c)工程により得られる熱処理物を、大気中にて500°C以上800°C以下で加熱酸化処理し、次いで無機酸中で酸処理する工程
を有し、
前記(a)工程において、樹脂の質量が、ランタン化合物微粒子及びホウ素化合物微粒子の合計質量に対して、0.5質量%以上10質量%以下である六ホウ化ランタン微粒子の製造方法。
IPC (3件)：
C01B 35/04
, C23C 14/06
, C23C 14/34
C01B35/04 A
, C23C14/06 C
, C23C14/34 A
4K029AA02
, 4K029AA24
, 4K029BA53
, 4K029BD01
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC09
