特許
J-GLOBAL ID：201203064129375484
セラミック電子部品及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-036860
公開番号（公開出願番号）：特開2012-009813
出願日： 2011年02月23日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：
【課題】セラミック素体の上に形成された下地電極層と、下地電極層の上に形成されたCuめっき膜とを有する外部電極を備えるセラミック電子部品であって、高い信頼性を有するセラミック電子部品を提供する。【解決手段】セラミック電子部品1は、セラミック素体10と、外部電極13,14とを備えている。外部電極13,14は、セラミック素体10の上に形成されている。外部電極13,14は、下地電極層15と、第1のCuめっき膜16とを有する。下地電極層15は、セラミック素体10の上に形成されている。第1のCuめっき膜16は、下地電極層15の上に形成されている。下地電極層15は、Cuに拡散し得る金属と、セラミック結合材とを含む。第1のCuめっき膜16の少なくとも下地電極層15側の表層には、Cuに拡散し得る金属が拡散している。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
セラミック素体と、前記セラミック素体の上に形成されている外部電極とを備えるセラミック電子部品であって、
前記外部電極は、前記セラミック素体の上に形成されている下地電極層と、前記下地電極層の上に形成されている第1のCuめっき膜とを有し、
前記下地電極層は、Cuに拡散し得る金属と、セラミック結合材とを含み、
前記第1のCuめっき膜の少なくとも前記下地電極層側の表層には、前記Cuに拡散し得る金属が拡散している、セラミック電子部品。
IPC (4件)：
H01G 4/252
, H01G 4/228
, H01G 4/12
, H01G 4/30
H01G1/14 V
, H01G1/14 F
, H01G4/12 361
, H01G4/12 364
, H01G4/30 301B
, H01G4/30 311E
5E001AB03
, 5E001AF02
, 5E001AH07
, 5E001AJ03
, 5E082AB03
, 5E082GG10
, 5E082GG28
出願人引用 (20件)
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審査官引用 (20件)
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