レーザを用いた基板加工方法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：杉村憲司 , 大倉昭人 , 荒木淳
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-511312
公開番号（公開出願番号）：特表2012-527356
出願日： 2009年06月04日
公開日（公表日）： 2012年11月08日
要約：

本発明はガラス及び半導体ウェハなどの基板を加工する方法及び装置に関する。本方法は、基板を局所的に溶融し得る、所定の持続時間、パルス周波数及び焦点スポット径を有する複数の連続する集束レーザパルスをレーザ源から基板に照射するステップ、構造的に変化された領域が基板に形成されるように前記レーザ源と前記基板を所定の速度で相対的に移動させるステップを備える。本発明によれば、パルス持続時間は20〜100psの範囲内であり、パルス周波数は1MHz以上であり、移動速度は連続するパルスの間隔が焦点スポット径の1/5未満になるように調整される。本発明は、例えば通常透明である材料の効率的なダイシング、スクライビング及び溶接に使用できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を局所的に溶融し得る、所定の持続時間、パルス周波数及び焦点スポット径を有する複数の連続する集束レーザパルスをレーザ源から基板に照射するステップ、構造的に変化された領域が基板に形成されるように前記レーザ源と前記基板を所定の移動速度で相対的に移動させるステップを備える、基板を加工する方法において、 20-100psのパルス持続時間を使用すること、及び IMHz以上のパルス周波数及びパルスが大きく重複するように調整された移動速度を使用し、連続するパルスの間隔が前記焦点スポット径の1/5未満であること、を特徴とする方法。

IPC (8件)：

B23K 26/40 , B23K 26/06 , B23K 26/38 , B23K 26/00 , H01L 21/301 , B28D 5/00 , H01S 3/00 , H01S 3/067

FI (8件)：

B23K26/40 , B23K26/06 A , B23K26/38 320 , B23K26/00 N , H01L21/78 B , B28D5/00 Z , H01S3/00 B , H01S3/06 B

Fターム (35件)：

3C069AA02 , 3C069AA03 , 3C069BA08 , 3C069BB04 , 3C069BC03 , 3C069CA03 , 3C069CA05 , 3C069CA11 , 3C069EA05 , 4E068AA03 , 4E068AD00 , 4E068AE00 , 4E068CA01 , 4E068CA02 , 4E068CA03 , 4E068CA04 , 4E068CA07 , 4E068CA15 , 4E068CA17 , 4E068CD01 , 4E068CK01 , 4E068DA09 , 4E068DA10 , 4E068DB11 , 4E068DB12 , 4E068DB13 , 5F172AF01 , 5F172AF02 , 5F172AF03 , 5F172AF04 , 5F172AF05 , 5F172AF06 , 5F172AM08 , 5F172NN17 , 5F172ZZ01

引用特許：

審査官引用 (10件)

物質の接合方法、物質接合装置、および、接合体とその製造方法
公報種別：再公表公報出願番号：JP2007068413 出願人：国立大学法人大阪大学
レーザー光による対象物の破断方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-122256 出願人：サイバーレーザー株式会社
液晶デバイスウエーハのレーザー加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-232838 出願人：株式会社ディスコ

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