特許
J-GLOBAL ID：201203070286137376
プラズマ処理用マグネトロン電極
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-033621
公開番号（公開出願番号）：特開2012-188751
出願日： 2012年02月20日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：
【課題】異常放電が少なく、長時間安定的に放電可能なプラズマ処理用マグネトロン電極、及び異常放電に伴うダスト発生を抑制した成膜方法を提供する。【解決手段】カソードケース101の開口部にバッキングプレート103を設け、その上にターゲット102が設けられ、カソードケースの中央部に主磁石105がターゲット側がS極の向きで設けられ、主磁石を取り囲むように補助磁石106がN極向きで設けられる。第二電極104を、第一電極101,102,103の外側磁極111の内側端部よりも外側か、または磁束密度の低い部分にのみ設ける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
放電面を有する第一電極と、前記第一電極の放電面側にマグネトロン用磁気回路を構成する磁石と、前記第一電極との間に電位差を付与できるように前記第一電極から電気的に絶縁された第二電極とを少なくとも備えたプラズマ処理用マグネトロン電極であって、前記第二電極は前記第一電極から放電面に垂直な方向に隙間を持って前記第一電極の放電面を覆うように配設され、前記第二電極の内側端部は、前記磁気回路の外側磁極の内側端面よりも外側で、かつ前記第一電極の外側端面よりも内側に存在することを特徴とするプラズマ処理用マグネトロン電極。
IPC (5件)：
C23C 14/35
, C23C 16/50
, H01L 21/203
, H05H 1/24
, H05H 1/46
C23C14/35 Z
, C23C16/50
, H01L21/203 S
, H05H1/24
, H05H1/46 A
4K029CA05
, 4K029DC28
, 4K029DC34
, 4K029DC35
, 4K029DC40
, 4K030FA01
, 4K030KA30
, 5F103AA08
, 5F103RR04
