特許

J-GLOBAL ID：201203070635746180

半導体装置

発明者： 引田 正洋 ,  柳原 学
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-210139
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064900
出願日： 2010年09月17日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：

【課題】オフ時のリーク電流を低減し、パワースイッチング素子に適用可能なノーマリーオフ型の半導体装置を提供する。【解決手段】基板101と、基板101の上に形成されたアンドープGaN層103と、アンドープGaN層103の上に形成されたアンドープAlGaN層104と、アンドープGaN層103又はアンドープAlGaN層104の上に形成されたソース電極107及びドレイン電極108と、アンドープAlGaN層104の上に形成され、ソース電極107とドレイン電極108との間に配置されたp型GaN層105と、p型GaN層105の上に形成されたゲート電極106とを備え、アンドープGaN層103は、チャネルを含む活性領域113と、チャネルを含まない不活性領域112とを有し、p型GaN層105は、ソース電極107を囲むように配置されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の上に形成された第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層の上に形成され、前記第1の窒化物半導体層と比べてバンドギャップエネルギーが大きい第2の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層又は前記第2の窒化物半導体層の上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記第2の窒化物半導体層の上に形成され、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたp型の第3の窒化物半導体層と、 前記第3の窒化物半導体層の上に形成されたゲート電極とを備え、 前記第1の窒化物半導体層は、チャネルを含む活性領域と、チャネルを含まない不活性領域とを有し、 前記第3の窒化物半導体層は、前記ソース電極および前記ドレイン電極の少なくとも一方を囲むように配置されている 半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (8件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/80 L ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/44 P ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/58 Z ,  H01L29/58 G

Fターム (73件)：

4M104AA04 ,  4M104BB07 ,  4M104CC01 ,  4M104FF11 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG11 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GD05 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM09 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR03 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GR09 ,  5F102GR12 ,  5F102GS03 ,  5F102GS04 ,  5F102GS07 ,  5F102GS09 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110BB13 ,  5F110CC01 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG04 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12 ,  5F140AA24 ,  5F140AA30 ,  5F140AB08 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BD07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF43 ,  5F140BF53 ,  5F140BH03 ,  5F140BH30 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17

引用特許：

審査官引用 (9件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-008551   出願人：ソニー株式会社
• 高周波半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-369677   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置及びその駆動方法
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2007072476   出願人：パナソニック株式会社
• デュアルゲート型電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-164779   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-302149
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-275962   出願人：三洋電機株式会社
• 特開昭55-041769
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-138402   出願人：サンケン電気株式会社
• 横型半導体デバイスの配線構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-119306   出願人：住友電気工業株式会社