特許

J-GLOBAL ID：201203077651369294

電子デバイス及びその製造方法

発明者： 佐藤 信太郎
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-060588
公開番号（公開出願番号）：特開2012-212877
出願日： 2012年03月16日
公開日（公表日）： 2012年11月01日
要約：

【課題】転写プロセスを用いずに、所期のグラフェンを制御性良く容易且つ確実に安定形成し、信頼性の高い高性能の微細な電子デバイスを実現する。【解決手段】基板1上に絶縁層2を形成し、絶縁層2に空隙2Aを形成し、空隙2Aに触媒材料4を充填し、絶縁層2における触媒材料4の露出面4aにグラフェン5を形成し、絶縁層2上でグラフェン5の両端部に接続するように一対の電極5,6を形成し、グラフェン5を一部除去してグラフェンリボン8を形成し、グラフェンリボン8の除去された部位である間隙2A1,2A2を通じて触媒材料4を除去する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成され、空隙を有する絶縁層と、 前記空隙の両側に形成された一対の電極と、 前記空隙上を介して前記一対の電極間を架橋するグラフェンと を含むことを特徴とする電子デバイス。

IPC (10件)：

H01L 29/786 ,  C01B 31/02 ,  C23C 16/26 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40

FI (14件)：

H01L29/78 618B ,  C01B31/02 101Z ,  C23C16/26 ,  H01L21/205 ,  H01L21/314 Z ,  H01L21/316 X ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 220A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310E ,  H01L29/78 618C

Fターム (80件)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AD20 ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC38A ,  4G146BC38B ,  4G146CB15 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA11 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB07 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC16 ,  5F045AC18 ,  5F045AD13 ,  5F045AE21 ,  5F045AF10 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045HA13 ,  5F045HA14 ,  5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC03 ,  5F058BC07 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG30 ,  5F110GG39 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置の製造方法、半導体装置および配線構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-001670   出願人：富士通株式会社
• カーボンナノチューブの成長方法、カーボンナノチューブの構造体及び電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-259778   出願人：富士通株式会社
• カーボンナノチューブ共振トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-558173   出願人：ノースロップグラマンコーポレイション
• 単結晶基板上にエピタキシャル成長したグラフェン層を含むデバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-555294   出願人：アルカテル-ルーセントユーエスエーインコーポレーテッド
• グラフェントランジスタ及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-020277   出願人：富士通株式会社
• グラフェン電子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-230617   出願人：三星電子株式会社