発光素子および発光素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-103602
公開番号（公開出願番号）：特開2012-235012
出願日： 2011年05月06日
公開日（公表日）： 2012年11月29日
要約：

【課題】出力を向上可能な発光素子および発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】発光素子100において、成長基板10は、第1レーザー加工面10C1と、第1割断面10C2と、を含む第1側面10Cを有する。第1割断面10C2には、成長基板10を構成する材料の結晶格子面が露出している。垂直方向における第1レーザー加工面10C1の高さαは、垂直方向における成長基板10の厚みβ1と素子本体20の厚みβ2との和の25%以上40%以下である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

レーザー加工面と、割断によって形成される割断面と、を含む側面と、前記側面に連なる表面と、を有する基板と、前記表面上に形成される半導体層を含む素子本体と、を備え、前記割断面には、前記基板を構成する材料の結晶格子面が露出しており、前記表面に対して垂直方向における前記レーザー加工面の高さは、前記垂直方向における前記基板および前記素子本体それぞれの厚みの和の25%以上40%以下である、発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/32 , H01L 21/301 , B23K 26/00

FI (5件)：

H01L33/00 186 , H01L21/78 B , H01L21/78 V , B23K26/00 D , B23K26/00 H

Fターム (22件)：

4E068AA03 , 4E068AD01 , 4E068AE01 , 4E068CA03 , 4E068CA09 , 4E068CA17 , 4E068DA09 , 4E068DB12 , 5F041CA02 , 5F041CA03 , 5F041CA04 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA76 , 5F141CA02 , 5F141CA03 , 5F141CA04 , 5F141CA40 , 5F141CA74 , 5F141CA75 , 5F141CA76

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-081973 出願人：豊田合成株式会社
窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-170955 出願人：日亜化学工業株式会社
レーザ利用のためのGAN基板を用いた光学素子構造
公報種別：公表公報出願番号：特願2012-506140 出願人：ソラアインコーポレーテッド

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