特許
J-GLOBAL ID：200903021595149587
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
鮫島 睦
, 田村 恭生
, 石井 久夫
, 田村 啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-112107
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287849
出願日： 2006年04月14日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】フェースアップ実装に適しており、光の取出し効率を向上させ、さらに輝度ムラを低減させた半導体発光素子を提供する。【解決手段】本発明にかかる半導体発光素子10は、上面側から第1導電型半導体層16、第2導電型半導体層14、及び基板12を順に積層した積層体と、前記第1導電型半導体層16の上面に設けられた第1透光性電極20と、前記第1透光性電極20から、前記第2導電型半導体層14と反対側の前記基板12の下面まで延設された透光性の第1導電部30と、を備えたことを特徴とする。半導体発光素子10は、さらに、前記積層体の上面側に部分的に露出された前記第2導電型半導体層14に設けられた第2透光性電極18と、前記第2透光性電極18から前記基板12の下面まで延設された透光性の第2導電部26と、をさらに備えることができる。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
上面側から第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、及び基板を順に積層した積層体と、
前記第1導電型半導体層の上面に設けられた第1透光性電極と、
前記第1透光性電極から、前記第2導電型半導体層と反対側の前記基板の下面まで延設された透光性の第1導電部と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F041AA03
, 5F041AA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041CA93
, 5F041CA99
, 5F041DA02
, 5F041DA03
, 5F041DA09
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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