特許
J-GLOBAL ID：201203083959654992

微結晶半導体膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法

発明者：
小松 立

小松 立 について

, 
神保 安弘

神保 安弘 について

, 
宮入 秀和

宮入 秀和 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-141548
公開番号（公開出願番号）：特開2012-033902
出願日： 2011年06月27日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：
【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。【解決手段】第1の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を形成した後、第2の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように、種結晶上に微結晶半導体膜を積層形成する。第1の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を50倍以上1000倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を67Pa以上1333Pa以下とする条件である。第2の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素との流量比を周期的に増減させながら処理室に供給し、且つ処理室内の圧力を1333Pa以上13332Pa以下とする条件である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁膜上に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を50倍以上1000倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を67Pa以上1333Pa以下とする第1の条件を用いたプラズマCVD法により種結晶を形成し、 前記種結晶上に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素との流量比を周期的に増減させながら前記処理室に供給し、且つ前記処理室内の圧力を1333Pa以上13332Pa以下とする第2の条件を用いたプラズマCVD法により微結晶半導体膜を形成することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/28 ,  C23C 16/515 ,  G02F 1/136
FI (7件)：
H01L29/78 618A ,  H01L21/205 ,  H01L29/78 617N ,  C23C16/24 ,  C23C16/28 ,  C23C16/515 ,  G02F1/1368
Fターム (126件)：
2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092JA26 ,  2H092JA40 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA30 ,  2H092NA22 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA09 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BB04 ,  4K030CA06 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB05 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC18 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF07 ,  5F045AF14 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045EE12 ,  5F045EE13 ,  5F045EE17 ,  5F045EE19 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE24 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK42 ,  5F110HM02 ,  5F110HM05 ,  5F110NN02 ,  5F110NN05 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ08
引用特許：
審査官引用 (6件)
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