ペロブスカイト型酸化物膜及びそれを用いた強誘電体膜、強誘電体素子、ペロブスカイト型酸化物膜の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：柳田征史 , 佐久間剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-065517
公開番号（公開出願番号）：特開2012-106902
出願日： 2011年03月24日
公開日（公表日）： 2012年06月07日
要約：

【課題】圧電素子用に、組成ずれが少なく結晶性の良好なニオブ酸カリウム混晶系ペロブスカイト型酸化物厚膜を提供する。【解決手段】ペロブスカイト型酸化物膜1は、基板10上に成膜され、平均膜厚が5μm以上であり、且つ、一般式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物を含む。(K1-w-x,Aw,Bx)(Nb1-y-z,Cy,Dz)O3・・・(P)(式中、0<w<1.0,0≦x≦0.2,0≦y<1.0,0≦z≦0.2,0<w+x<1.0。AはK以外のイオン価数が1価のAサイト元素、BはAサイト元素、Cはイオン価数が5価のBサイト元素、DはBサイト元素。A〜Dは各々1種又は複数種の金属元素である。)【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に成膜されるペロブスカイト型酸化物膜であって、平均膜厚が5μm以上であり、且つ、下記一般式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物を含むことを特徴とするペロブスカイト型酸化物膜。 (K1-w-x,Aw,Bx)(Nb1-y-z,Cy,Dz)O3 ・・・(P) (式中、0<w<1.0,0≦x≦0.2,0≦y<1.0,0≦z≦0.2,0<w+x<1.0。AはK以外のイオン価数が1価のAサイト元素、BはAサイト元素、Cはイオン価数が5価のBサイト元素、DはBサイト元素。A〜Dは各々1種又は複数種の金属元素である。Aサイト元素の総モル数及びBサイト元素の総モル数の、酸素原子のモル数に対する比は、それぞれ1:3が標準であるが、ペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1:3からずれてもよい。

IPC (10件)：

C01G 33/00 , H01L 41/18 , H01L 41/24 , H01L 41/09 , H01L 41/22 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 41/08 , H01L 21/208 , B41J 2/16

FI (10件)：

C01G33/00 A , H01L41/18 101Z , H01L41/22 A , H01L41/08 C , H01L41/08 L , H01L41/22 Z , H01L27/10 444C , H01L41/08 Z , H01L21/208 D , B41J3/04 103H

Fターム (32件)：

2C057AF93 , 2C057AG44 , 2C057AP14 , 4G048AA04 , 4G048AA05 , 4G048AB02 , 4G048AC01 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AD08 , 4G048AE05 , 5F053AA03 , 5F053AA50 , 5F053DD20 , 5F053LL10 , 5F083FR00 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083GA29 , 5F083GA30 , 5F083HA10 , 5F083JA13 , 5F083JA17 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083PR22 , 5F083PR23 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (5件)

圧電薄膜素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-222923 出願人：日立電線株式会社
セラミックス膜の製造方法及びセラミックス膜を含む構造物
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-331784 出願人：富士写真フイルム株式会社
圧電薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-117096 出願人：日立電線株式会社

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