特許
J-GLOBAL ID：200903012518586126
圧電薄膜素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-222923
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042740
出願日： 2005年08月01日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】 非鉛圧電材料を用い、絶縁耐圧に優れた圧電薄膜素子を提供する。【解決手段】 この圧電薄膜素子1は、MgO基板2A上に、RFマグネトロンスパッタリング法により、白金下部電極3、第1のSrTiO3薄膜4、(Na,K,Li)NbO3圧電薄膜5、第2のSrTiO3薄膜6および白金上部電極7を順次形成した構造を有する。第1および第2のSrTiO3薄膜4,6は、(Na,K,Li)NbO3圧電薄膜5よりも絶縁耐圧が大きく、1MV/cm以上の絶縁耐圧を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、下部電極、圧電部および上部電極を順次形成した構造を有する圧電薄膜素子において、
前記圧電部は、一般式(NaxKyLiz)NbO3(0<x<1、0<y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の誘電体薄膜と、前記アルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の誘電体薄膜よりも絶縁耐圧が高い高耐圧性誘電体とを含むことを特徴とする圧電薄膜素子。
IPC (7件)：
H01L 41/09
, H01L 41/187
, H01L 41/18
, H01L 41/22
, B41J 2/045
, B41J 2/055
, B41J 2/16
H01L41/08 C
, H01L41/18 101B
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 Z
, B41J3/04 103A
, B41J3/04 103H
2C057AF65
, 2C057AF93
, 2C057AG39
, 2C057AG44
, 2C057AP14
, 2C057AP52
, 2C057AQ02
, 2C057BA14
出願人引用 (2件)
審査官引用 (15件)
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