タングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-290565
公開番号（公開出願番号）：特開2012-138500
出願日： 2010年12月27日
公開日（公表日）： 2012年07月19日
要約：

【課題】タングステン膜又は酸化タングステン膜上に酸化シリコン膜を形成しても、酸化シリコン膜のインキュベーション時間を短縮することが可能なタングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】被処理体上にタングステン膜又は酸化タングステン膜を形成する工程(ステップ1)と、タングステン膜又は酸化タングステン膜上にシード層を形成する工程(ステップ2)と、シード層上に酸化シリコン膜を形成する工程(ステップ3)と、を具備し、上記シード層をタングステン膜又は酸化タングステン膜上に、被処理体を加熱し、タングステン膜又は酸化タングステン膜の表面にアミノシラン系ガスを供給して形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(1) 被処理体上にタングステン膜又は酸化タングステン膜を形成する工程と、 (2) 前記タングステン膜又は酸化タングステン膜上にシード層を形成する工程と、 (3) 前記シード層上に酸化シリコン膜を形成する工程と、を具備し、前記(2)の工程が、前記被処理体を加熱し、前記タングステン膜又は酸化タングステン膜の表面にアミノシラン系ガスを供給して前記タングステン膜又は酸化タングステン膜上にシード層を形成する工程であることを特徴とするタングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法。

IPC (8件)：

H01L 21/316 , H01L 21/768 , H01L 23/532 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (8件)：

H01L21/316 X , H01L21/90 P , H01L21/90 K , H01L29/78 301G , H01L21/316 M , H01L21/28 B , H01L21/28 301R , H01L29/58 G

Fターム (37件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB18 , 4M104CC05 , 4M104DD43 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104FF17 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F033HH19 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033SS02 , 5F033SS03 , 5F033SS15 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F058BC02 , 5F058BE10 , 5F058BF02 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BJ04 , 5F140AA00 , 5F140BA01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF17 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG51 , 5F140CC03 , 5F140CC15

引用特許：

審査官引用 (8件)

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-181282 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体素子製造方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-088756 出願人：三菱電機株式会社
シリコン酸化物含有膜の形成方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-501327 出願人：レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

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