半導体素子製造方法および装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-088756
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274157
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】欠陥の少ない膜および界面を有し、特性や信頼性が改善された半導体素子の製造方法および装置を提供する。【解決手段】半導体基板表面に酸素の中性活性種もしくは酸素原子を供給する酸化膜形成工程と、オゾンを供給する炭化物除去工程とを備えた製造方法。また、その後に、シリコンを含んだ原料と、酸素の中性活性種もしくは酸素原子とを供給してシリコン酸化膜を形成して半導体素子を製造する。そのための装置も開示されている。

請求項（抜粋）：

シリコンと炭素とを含む半導体基板表面に酸化物薄膜を形成する工程を含む半導体素子製造方法に於いて、半導体基板表面に酸素の中性活性種もしくは酸素原子を供給して酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、上記酸化膜上にオゾンを供給して炭素および炭化物を除去する炭化物除去工程とを備えたことを特徴とする半導体素子製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/316 X , H01L 21/316 P , H01L 21/316 S , C23C 16/40 , H01L 21/31 A

Fターム (34件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030FA08 , 5F045AA08 , 5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AF02 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045DP09 , 5F045EB02 , 5F045EB13 , 5F045EH18 , 5F045HA03 , 5F045HA13 , 5F058BA06 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BH16 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (9件)

化合物膜の形成方法及び半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-099224 出願人：三洋電機株式会社
高誘電率薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-203790 出願人：日本電気株式会社
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-218743 出願人：沖電気工業株式会社

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