特許
J-GLOBAL ID：201203042787980703

トレンチの埋め込み方法および成膜装置

発明者：
渡邊 将久

渡邊 将久 について

, 
岡田 充弘

岡田 充弘 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-290647
公開番号（公開出願番号）：特開2012-138501
出願日： 2010年12月27日
公開日（公表日）： 2012年07月19日
要約：
【課題】 トレンチの微細化がさらに進展しても、トレンチの内部に、膨張可能な膜及び酸化障壁となる膜を形成することが可能なトレンチの埋め込み方法を提供すること。【解決手段】 トレンチ内部に酸化障壁膜の形成工程(ステップ3)、酸化障壁膜上に膨張可能な膜の形成工程(ステップ4)、焼成することで収縮する埋め込み材でトレンチを埋め込む工程(ステップ5)、埋め込み材の焼成工程(ステップ6)と、を含み、ステップ3の工程が、アミノシラン系ガスを供給して、トレンチの内部に第1のシード層を形成する工程(ステップ31)、第1のシード層上に窒化シリコン膜を形成する工程(ステップ32)と、を含み、ステップ4の工程が、アミノシラン系ガスを供給して、窒化シリコン膜上に第2のシード層を形成する工程(ステップ41)と、第2のシード層上にシリコン膜を形成する工程(ステップ42)と、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(1) 半導体基板に形成されたトレンチ内部に酸化障壁膜を形成する工程と、 (2) 前記酸化障壁膜上に膨張可能な膜を形成する工程と、 (3) 焼成することで収縮する埋め込み材を用いて、前記酸化障壁膜、前記膨張可能な膜、及び前記埋め込み材で前記トレンチを埋め込む工程と、 (4) 前記埋め込み材を焼成する工程と、を含み、 前記(1)の工程が、 前記トレンチが形成された半導体基板にアミノシラン系ガスを供給して、前記トレンチの内部に第1のシード層を形成する工程と、 前記第1のシード層上に窒化シリコン膜を形成する工程と、を含み、 前記(2)の工程が、 前記窒化シリコン膜が形成された半導体基板にアミノシラン系ガスを供給して、前記窒化シリコン膜上に第2のシード層を形成する工程と、 前記第2のシード層上にシリコン膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするトレンチの埋め込み方法。
IPC (4件)：
H01L 21/76 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/316
FI (6件)：
H01L21/76 L ,  H01L21/31 B ,  H01L21/318 M ,  H01L21/318 B ,  H01L21/316 G ,  H01L21/316 M
Fターム (33件)：
5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA47 ,  5F032AA50 ,  5F032AA69 ,  5F032AA70 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AE19 ,  5F045DP19 ,  5F045EE19 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ06
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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