半導体デバイスの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-278137
公開番号（公開出願番号）：特開2012-129303
出願日： 2010年12月14日
公開日（公表日）： 2012年07月05日
要約：

【課題】製造工程のリワーク率および製品の不良率を低下させることが可能な、半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上の第1の被加工膜に第1のパターンを形成する工程と、第1のパターンにおける所定の方向の寸法である第1の距離を測定する第1の測定工程と、第1のパターン上に第2の被加工膜を形成する工程と、第2の被加工膜上に形成したフォトレジストに第2のパターンを形成する工程と、第2のパターンにおける所定の方向の寸法である第2の距離を測定する第2の測定工程と、を有し、第2のパターンの良否判定が、第1の距離と、第1の距離および第2の距離から求まる算出値とのうち、少なくとも一方によって決定されるものである。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の被加工膜を形成する工程と、前記第1の被加工膜に第1のパターンを形成する工程と、前記第1のパターンにおける所定の方向の寸法である第1の距離を測定する第1の測定工程と、前記第1のパターン上に第2の被加工膜を形成する工程と、前記第2の被加工膜上に形成したフォトレジストに第2のパターンを形成する工程と、前記第2のパターンにおける所定の方向の寸法である第2の距離を測定する第2の測定工程と、を有し、前記第2のパターンの良否判定が、前記第1の距離と、該第1の距離および前記第2の距離から求まる算出値とのうち、少なくとも一方によって決定されることを特徴とする、半導体デバイスの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/027 , G03F 9/00 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 21/306 , H01L 21/66

FI (8件)：

H01L21/30 502V , H01L21/30 523 , H01L21/30 525W , G03F9/00 H , H01L27/10 621C , H01L27/10 681F , H01L21/302 105A , H01L21/66 J

Fターム (40件)：

4M106AA01 , 4M106CA39 , 4M106CA50 , 4M106DB04 , 4M106DJ17 , 4M106DJ18 , 4M106DJ20 , 4M106DJ21 , 5F004AA16 , 5F004CA08 , 5F004EA01 , 5F004EB01 , 5F046EB05 , 5F046FC03 , 5F046FC04 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083GA27 , 5F083JA39 , 5F083JA56 , 5F083MA04 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR01 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F146EB05 , 5F146FC03 , 5F146FC04

引用特許：

審査官引用 (7件)

特許第7349752号
半導体装置製造工程管理方法および半導体装置製造工程管理システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-224798 出願人：ファブソリューション株式会社
情報表示システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-222398 出願人：株式会社ニコン

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