熱酸化の間のSiO<sub>2</sub>/Si(001)インタフェイスにおける酸化率と酸化-誘導歪みの関係

OGAWA Shuichi; TANG Jiayi; YOSHIGOE Akitaka; ISHIDZUKA Shinji; TERAOKA Yuden; TAKAKUWA Yuji

文献

J-GLOBAL ID：201302264790061537 整理番号：13A1936943

熱酸化の間のSiO₂/Si(001)インタフェイスにおける酸化率と酸化-誘導歪みの関係

Relation Between Oxidation Rate and Oxidation-Induced Strain at SiO₂/Si(001) Interfaces during Thermal Oxidation

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 52 号： 11,Issue 1 ページ： 110128.1-110128.7 発行年： 2013年11月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

酸化誘導歪みによる点欠陥(放出Si原子とその空孔)発生が媒介するSi酸化反応モデルを実験的に確かめ,n型Si(001)表面上のSiO₂/Siインタフェイスで,O₂ガスによる酸化-誘導歪みSi原子の量,酸化状態,そして,酸化の間の酸化率を同時に評価するため,シンクロトロン放射を使った実時間光電子分光法を使用した。最初の酸化層成長の完成で歪みSi原子の酸化率と量が300°Cから酸化物がLangmuir-タイプ吸着で成長する550°Cに温度を増やすことで,徐々に減少することを見つけた。インタフェイス歪みと酸化率が強い相関を持つことを見つけた。最初の酸化層成長の間の吸着酸素の挙動の観点から酸化物被覆と界面歪みの酸化温度依存性の理由を議論した。(翻訳著者抄録)

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (36件)：

S. Takagi, J. L. Hoyt, J. J. Welser, and J. F. Gibbons: J. Appl. Phys. 80 (1996) 1567.
T. Tamura, N. Tanaka, M. Tagawa, N. Ohmae, and M. Umeno: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 12.
H. Nohira, T. Kuroiwa, M. Nakamura, Y. Hirose, J. Mitsui, W. Sakai, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, K. Sawano, K. Nakagawa, Y. Shiraki, and T. Hattori: Appl. Surf. Sci. 237 (2004) 134.
S. T. Dunham and J. D. Plummer: J. Appl. Phys. 59 (1986) 2541.
S. Ogawa and Y. Takakuwa: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 7063.

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