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文献
J-GLOBAL ID:201302264790061537   整理番号:13A1936943

熱酸化の間のSiO2/Si(001)インタフェイスにおける酸化率と酸化-誘導歪みの関係

Relation Between Oxidation Rate and Oxidation-Induced Strain at SiO2/Si(001) Interfaces during Thermal Oxidation
著者 (6件):
資料名:
巻: 52  号: 11,Issue 1  ページ: 110128.1-110128.7  発行年: 2013年11月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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酸化誘導歪みによる点欠陥(放出Si原子とその空孔)発生が媒介するSi酸化反応モデルを実験的に確かめ,n型Si(001)表面上のSiO2/Siインタフェイスで,O2ガスによる酸化-誘導 歪みSi原子の量,酸化状態,そして,酸化の間の酸化率を同時に評価するため,シンクロトロン放射を使った実時間光電子分光法を使用した。 最初の酸化層成長の完成で歪みSi原子の酸化率と量が300°Cから酸化物がLangmuir-タイプ吸着で成長する550°Cに温度を増やすことで,徐々に減少することを見つけた。インタフェイス歪みと酸化率が強い相関を持つことを見つけた。最初の酸化層成長の間の吸着酸素の挙動の観点から酸化物被覆と界面歪みの酸化温度依存性の理由を議論した。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 

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