基材の処理方法、積層体、仮固定材、仮固定用組成物および半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人SSINPAT
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-094025
公開番号（公開出願番号）：特開2013-222850
出願日： 2012年04月17日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
要約：

【課題】基材の加工時および剥離時のいずれにおいても基材の破損を良好に防ぐことが可能な、すなわち歩留まりのよい基材の処理方法などを提供する。【解決手段】(1)2層以上の層を有し、溶融温度が最も高い層を一面側の最外層として有する仮固定材を介して、支持体に基材を、前記溶融温度が最も高い層と前記基材とが接するように仮固定することにより、積層体を得る工程、(2)前記基材を加工し、および/または前記積層体を移動する工程、ならびに(3)前記仮固定材を加熱することにより、支持体から基材を剥離する工程をこの順で有する基材の処理方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

(1)2層以上の層を有し、溶融温度が最も高い層を一面側の最外層として有する仮固定材を介して、支持体に基材を、前記溶融温度が最も高い層と前記基材とが接するように仮固定することにより、積層体を得る工程、 (2)前記基材を加工し、および/または前記積層体を移動する工程、ならびに (3)前記仮固定材を加熱することにより、支持体から基材を剥離する工程をこの順で有する基材の処理方法。

IPC (1件)：

H01L 21/683

FI (1件)：

H01L21/68 N

Fターム (9件)：

5F131AA02 , 5F131AA12 , 5F131BA52 , 5F131CA09 , 5F131EC43 , 5F131EC54 , 5F131EC55 , 5F131EC62 , 5F131EC72

引用特許：

出願人引用 (8件)

薄葉化ウェハーの製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-224008 出願人：三菱瓦斯化学株式会社
ウェーハ研磨工程及びこれによるウェーハ後面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-375859 出願人：三星電機株式会社
特許第3918556号

全件表示

審査官引用 (6件)

薄葉化ウェハーの製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-224008 出願人：三菱瓦斯化学株式会社
ウェーハ研磨工程及びこれによるウェーハ後面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-375859 出願人：三星電機株式会社
特許第3918556号

全件表示

前のページに戻る