半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松浦憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-131491
公開番号（公開出願番号）：特開2013-004584
出願日： 2011年06月13日
公開日（公表日）： 2013年01月07日
要約：

【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができる。【解決手段】ウェーハW表面にバックグラインドテープが貼着され(ステップS1)、レーザ光をウェーハW内部に照射して、ウェーハWの表面から略60μm〜略80μmの深さに切断ラインSに沿って改質領域を形成し(ステップS2)、ウェーハWの表面から略50μmの基準面までウェーハWを裏面から研削する(ステップS3)。このとき、改質領域内のクラックが、基準面とウェーハW表面との間に進展される。その後、研削によりウェーハWの裏面に形成された加工変質層が除去され、ウェーハW裏面が鏡面加工され(ステップS4)、ウェーハW裏面にエキスパンドテープが貼付され(ステップS5)、弾性体212上に載置されたウェーハWが押圧部材218で押圧されることにより割断され(ステップS6)、バックグラインドテープが剥離され(ステップS7)、エキスパンドテープEが外側へ拡張されると、チップCが離間される(ステップS8)。【選択図】図14

請求項（抜粋）：

ウェーハの表面にバックグラインドテープを貼着する工程と、前記バックグラインドテープが表面に貼着された前記ウェーハの切断ラインに沿って裏面からレーザ光を入射して前記ウェーハの内部に改質領域を形成することで前記改質領域内に微小空孔を形成する改質領域形成工程と、前記改質領域形成工程で改質領域が形成されたウェーハの表面の略全面を各領域独立して一様にテーブルに吸着させる吸着工程と、前記吸着工程で表面の略全面がテーブルに吸着されたウェーハを裏面から研削して前記改質領域を除去するとともに、前記微小空孔を前記ウェーハの厚み方向に進展させる研削工程と、前記研削工程で前記微小空孔が前記ウェーハの厚み方向に進展されたウェーハを化学機械的に研磨する工程と、化学機械的に研磨された前記ウェーハの裏面にエキスパンドテープを貼着する工程と、前記エキスパンドテープが裏面に貼着された前記ウェーハを、前記バックグラインドテープを介して押圧部材で押圧して前記ウェーハを割断する割断工程と、前記バックグラインドテープを剥離する剥離用テープを帖着し、剥離用ローラで前記バックグラインドテープの剥離を行う剥離工程と、割段された前記ウェーハを、前記エキスパンドテープを引き伸ばすことにより複数のチップに分割する分割離間工程と、を含むことを特徴とする半導体基板の切断方法。

IPC (4件)：

H01L 21/301 , H01L 21/304 , B23K 26/38 , B23K 26/40

FI (8件)：

H01L21/78 Q , H01L21/78 B , H01L21/78 T , H01L21/78 W , H01L21/304 631 , H01L21/304 621D , B23K26/38 320 , B23K26/40

Fターム (9件)：

4E068AE00 , 4E068CC02 , 4E068DA10 , 5F057AA05 , 5F057BA21 , 5F057CA13 , 5F057CA32 , 5F057DA03 , 5F057DA11

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体基板の切断方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-318883 出願人：浜松ホトニクス株式会社
光デバイスウエーハの加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-207688 出願人：株式会社ディスコ
半導体装置の製造装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-005549 出願人：株式会社東芝

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