特許
J-GLOBAL ID：201303007475093987
ナノワイヤの作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
, 小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-278258
公開番号（公開出願番号）：特開2013-129548
出願日： 2011年12月20日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：
【課題】グラフェンの上にIII-V族化合物のナノワイヤを形成する。【解決手段】ステップS101で、グラフェン101の上に、金属微粒子102を形成する(金属微粒子形成工程)。グラフェン101は、例えば、主表面を(0001)としたSiCからなる基板103の上に熱分解法により形成したものであればよい。次に、ステップS102で、金属微粒子102を触媒とした有機金属気相成長法によりIII-V族化合物のナノワイヤ104を形成する(ナノワイヤ形成工程)。例えば、GaソースガスとPソースガスとを供給する有機金属気相成長法によりGaPからなるナノワイヤ104が形成できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
グラフェンの上に、金属微粒子を形成する金属微粒子形成工程と、
前記金属微粒子を触媒とした有機金属気相成長法によりIII-V族化合物のナノワイヤを形成するナノワイヤ形成工程と
を少なくとも備えることを特徴とするナノワイヤの作製方法。
IPC (9件)：
C01B 25/08
, B82Y 40/00
, B82Y 30/00
, B82Y 20/00
, C01G 28/00
, B01J 23/52
, H01L 31/10
, H01L 31/04
, H01L 33/04
C01B25/08 A
, B82Y40/00
, B82Y30/00
, B82Y20/00
, C01G28/00 Z
, B01J23/52 M
, H01L31/10 A
, H01L31/04 E
, H01L33/00 110
4G048AA10
, 4G048AB01
, 4G048AC08
, 4G048AD04
, 4G048AE08
, 4G169AA03
, 4G169BC33B
, 4G169EA01X
, 4G169EA01Y
, 4G169FB02
, 5F041AA03
, 5F041AA31
, 5F041CA04
, 5F041CA10
, 5F041CA37
, 5F041CA65
, 5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049PA04
, 5F049QA01
, 5F049QA16
, 5F049SS01
, 5F141AA03
, 5F141AA31
, 5F141CA04
, 5F141CA10
, 5F141CA37
, 5F141CA65
, 5F151AA08
, 5F151CB12
, 5F151DA01
, 5F151DA04
, 5F151GA01
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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