ナノワイヤの作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山川政樹 , 山川茂樹 , 小池勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-278258
公開番号（公開出願番号）：特開2013-129548
出願日： 2011年12月20日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：

【課題】グラフェンの上にIII-V族化合物のナノワイヤを形成する。【解決手段】ステップS101で、グラフェン101の上に、金属微粒子102を形成する(金属微粒子形成工程)。グラフェン101は、例えば、主表面を(0001)としたSiCからなる基板103の上に熱分解法により形成したものであればよい。次に、ステップS102で、金属微粒子102を触媒とした有機金属気相成長法によりIII-V族化合物のナノワイヤ104を形成する(ナノワイヤ形成工程)。例えば、GaソースガスとPソースガスとを供給する有機金属気相成長法によりGaPからなるナノワイヤ104が形成できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

グラフェンの上に、金属微粒子を形成する金属微粒子形成工程と、前記金属微粒子を触媒とした有機金属気相成長法によりIII-V族化合物のナノワイヤを形成するナノワイヤ形成工程とを少なくとも備えることを特徴とするナノワイヤの作製方法。

IPC (9件)：

C01B 25/08 , B82Y 40/00 , B82Y 30/00 , B82Y 20/00 , C01G 28/00 , B01J 23/52 , H01L 31/10 , H01L 31/04 , H01L 33/04

FI (9件)：

C01B25/08 A , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B82Y20/00 , C01G28/00 Z , B01J23/52 M , H01L31/10 A , H01L31/04 E , H01L33/00 110

Fターム (33件)：

4G048AA10 , 4G048AB01 , 4G048AC08 , 4G048AD04 , 4G048AE08 , 4G169AA03 , 4G169BC33B , 4G169EA01X , 4G169EA01Y , 4G169FB02 , 5F041AA03 , 5F041AA31 , 5F041CA04 , 5F041CA10 , 5F041CA37 , 5F041CA65 , 5F049MA04 , 5F049MB07 , 5F049PA04 , 5F049QA01 , 5F049QA16 , 5F049SS01 , 5F141AA03 , 5F141AA31 , 5F141CA04 , 5F141CA10 , 5F141CA37 , 5F141CA65 , 5F151AA08 , 5F151CB12 , 5F151DA01 , 5F151DA04 , 5F151GA01

引用特許：

審査官引用 (7件)

ヘテロ構造の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-189109 出願人：日本電信電話株式会社
炭素表面にナノ粒子を製造させる方法およびそれからの生成物
公報種別：公表公報出願番号：特願2010-500141 出願人：ツェントラム・フューア・アンゲヴァンテ・ナノテヒノロギー(ツェーアーエン)ゲーエムベーハー
グラフェンナノデバイスの製造
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-310488 出願人：ソウル大学校産学協力団

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