半導体材料並びにそれを用いた光触媒体、光電極及び太陽電池

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-122317
公開番号（公開出願番号）：特開2012-250860
出願日： 2011年05月31日
公開日（公表日）： 2012年12月20日
要約：

【課題】安価な材料を用いて光応答性、特に可視光応答性を有する材料を実現する。【解決手段】ヘマタイト結晶相を含む酸化鉄の結晶中に窒素及び鉄以外の金属元素がドーピングされ、p型の半導体特性を示す半導体材料とする。鉄に対する窒素の原子数比(N/Fe換算)は0を超え0.05以下であり、かつ鉄に対する金属元素の原子数比(金属元素/Fe換算)は0を超え0.05以下とする。該半導体材料は、光電極、光触媒及び太陽電池を構成する材料として用いることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ヘマタイト結晶相を含む酸化鉄の結晶中に窒素及び鉄以外の金属元素がドーピングされ、p型の半導体特性を示すことを特徴とする半導体材料。

IPC (4件)：

C01G 49/06 , B01J 35/02 , B01J 27/24 , H01L 31/04

FI (4件)：

C01G49/06 A , B01J35/02 J , B01J27/24 M , H01L31/04 E

Fターム (33件)：

4G002AA03 , 4G002AA12 , 4G002AB01 , 4G002AD02 , 4G002AE05 , 4G169AA03 , 4G169BA48A , 4G169BB04A , 4G169BB04B , 4G169BC31A , 4G169BC31B , 4G169BC35A , 4G169BC35B , 4G169BC66A , 4G169BC66B , 4G169BC75B , 4G169BD06A , 4G169BD06B , 4G169CC33 , 4G169DA05 , 4G169EC22X , 4G169EC22Y , 4G169FA01 , 4G169FB02 , 4G169FC08 , 4G169HA02 , 4G169HB06 , 4G169HC02 , 4G169HE09 , 5F151AA07 , 5F151AA16 , 5F151FA02 , 5F151GA03

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体酸化物膜およびその製造方法、ならびに半導体酸化物膜を用いた水素発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-052512 出願人：シャープ株式会社
半導体酸化物膜およびその製造方法、ならびに半導体酸化物膜を用いた水素発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-079137 出願人：シャープ株式会社
可視光による水開裂用のタンデム電池
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-508393 出願人：エコルポリテクニクフェデラルドゥローザンヌ(エペエフエル)

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