特許
J-GLOBAL ID：201303020222691167

オプトエレクトロニクスデバイス及び該オプトエレクトロニクスデバイスの製造方法

発明者：
ラルフ ヴィアト

ラルフ ヴィアト について


出願人/特許権者：
オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング について


代理人 (2件)： アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  久野 琢也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-504187
公開番号（公開出願番号）：特表2013-526016
出願日： 2011年03月18日
公開日（公表日）： 2013年06月20日
要約：
本発明は、それぞれ異なる波長の電磁放射を例えば遠視野において混合するために用いられるオプトエレクトロニクスデバイス1に関する。支持体2には、第1のスペクトル領域の電磁放射を送出する少なくとも1つの第1の半導体チップ3が設けられている。さらに支持体2上には、第2のスペクトル領域の電磁放射を送出する少なくとも1つの第2の半導体チップ4,4a,4bが設けられている。第1のスペクトル領域と第2のスペクトル領域は互いに異なっている。第1の半導体チップ3と第2の半導体チップ4,4a,4bは、ただ1つのパッケージ内に配置されている。第1の半導体チップ3は、第2の半導体チップ4,4a,4bから、バリア5により光学的に分離されている。第1の半導体チップ3と第2の半導体チップ4,4a,4bは、1つの共通の対称中心Zを中心としてそれぞれ点対称に配置されている。
請求項（抜粋）：
それぞれ異なる波長の電磁放射を例えば遠視野で混合するためのオプトエレクトロニクスデバイス(1)において、 支持体(2)と、 前記支持体(2)上に配置され、第1のスペクトル領域の電磁放射を送出する少なくとも1つの第1の半導体チップ(3)と、 前記支持体(2)上に配置され、第2のスペクトル領域の電磁放射を送出する少なくとも1つの第2の半導体チップ(4,4a,4b)とが設けられており、 前記第1のスペクトル領域と前記第2のスペクトル領域は互いに異なっており、 前記第1の半導体チップ(3)と前記第2の半導体チップ(4,4a,4b)は、ただ1つのパッケージ内に配置されており、 前記第1の半導体チップ(3)は前記第2の半導体チップ(4,4a,4b)から、バリア(5)によって光学的に分離されており、 前記第1の半導体チップ(3)と前記第2の半導体チップ(4,4a,4b)は、1つの共通の対称中心(Z)を中心としてそれぞれ点対称に配置されていることを特徴とする、 オプトエレクトロニクスデバイス。
IPC (1件)：
H01L 33/48
FI (1件)：
H01L33/00 400
Fターム (15件)：
5F142AA03 ,  5F142AA23 ,  5F142BA32 ,  5F142CB13 ,  5F142CD02 ,  5F142CE04 ,  5F142CE06 ,  5F142CE08 ,  5F142CE16 ,  5F142CG04 ,  5F142CG05 ,  5F142CG23 ,  5F142DA02 ,  5F142DA12 ,  5F142DB17
引用特許：
審査官引用 (18件)
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